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論文

Ion channeling study of epitaxy of iron based Heusler alloy films on Ge(111)

前田 佳均; 鳴海 一雅; 境 誠司; 寺井 慶和*; 浜屋 宏平*; 佐道 泰造*; 宮尾 正信*

Thin Solid Films, 519(24), p.8461 - 8467, 2011/10

 被引用回数:7 パーセンタイル:35.48(Materials Science, Multidisciplinary)

We investigate the axial orientation of epitaxy of Fe$$_{2}$$CoSi with a (A, C) site preference on Ge(111) by using ion channeling, and discuss dominant factors for epitaxy of Fe$$_{2}$$MnSi and Fe$$_{2}$$CoSi on Ge(111). We conclude that each dominant factor of epitaxy of Fe$$_{2}$$MnSi and Fe$$_{2}$$CoSi on Ge(111) comes from an atomic displacement due to different preference of site occupations.

論文

Surface structures on $$beta$$-FeSi$$_2$$ formed by heat-treatment in ultra-high vacuum and their influence for homoepitaxial growth

松村 精大*; 落合 城仁*; 鵜殿 治彦*; 江坂 文孝; 山口 憲司; 山本 博之; 北條 喜一

Physics Procedia, 11, p.174 - 176, 2011/02

 被引用回数:3 パーセンタイル:84.58

超高真空中で加熱処理された$$beta$$-FeSi$$_2$$基板の表面構造とそのホモエピタキシャル成長への影響を調べた。1023Kで熱処理された$$beta$$-FeSi$$_2$$(100)基板の表面には穴状の欠陥構造が認められ、この温度で起こる表面酸化物(SiO$$_x$$)の消失と対応している。この欠陥構造の元素組成は$$beta$$-FeSi$$_2$$のそれ(Si/Fe$$=$$2)と比べFeが過剰だったことから、表面で$$beta$$-FeSi$$_2$$から$$epsilon$$-FeSiへの分解が起こっていることが示唆された。また、加熱処理後の表面の形状は結晶面に依存していた。さらに、973並びに1073Kにおいて、$$beta$$-FeSi$$_2$$(111)の基板上に平滑なホモエピタキシャル膜を成長させることができた。

論文

Surface analysis of single-crystalline $$beta$$-FeSi$$_2$$

山田 洋一*; Mao, W.*; 朝岡 秀人; 山本 博之; 江坂 文孝; 鵜殿 治彦*; 都留 智仁

Physics Procedia, 11, p.67 - 70, 2011/02

 被引用回数:3 パーセンタイル:84.58

清浄な表面を有する$$beta$$-FeSi$$_2$$の単結晶を調製し、各種の表面分析を行った。表面酸化物に関するXPS(X線光電子分光)測定からは、FeではなくおもにSiが酸化することがわかった。LEED(低速電子線回折)やSTM(走査トンネル顕微鏡)の測定からは、表面酸化物を除去した表面は、清浄で、バルク結晶の切断面と同じような構造を有し、表面での大きな再構成は認められなかった。このことからFeとSiが強固な結合を呈していることが示唆された。

論文

Surface characterization of homoepitaxial $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ film on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111) substrate by X-ray photoelectron and absorption spectroscopy

江坂 文孝; 山本 博之; 鵜殿 治彦*; 松林 信行*; 山口 憲司; 社本 真一; 間柄 正明; 木村 貴海

Physics Procedia, 11, p.150 - 153, 2011/02

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.01

$$beta$$-FeSi$$_{2}$$は光通信デバイスなどへの幅広い応用が期待されている半導体材料である。しかしながらその表面に関しては未知な点も多く、正確な構造・組成の把握及びそれに基づく制御が、実用化に向けた課題の一つとなっている。本研究では、放射光を励起源としたX線光電子分光(XPS)法及びX線吸収分光(XAS)法を用い、$$beta$$-FeSi$$_{2}$$(111)単結晶上にエピタキシャル成長した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜表面の組成及び化学状態について非破壊で分析を行った。この結果、薄膜表面に生じたSiO$$_{x}$$層の膜厚,化学状態の深さ方向への変化に関する知見を得ることができた。

論文

Determination of silicon vacancy in ion-beam synthesized $$beta$$-FeSi$$_{2}$$

前田 佳均; 市川 貴之*; 上西 隆文*; 鳴海 一雅

Physics Procedia, 11, p.83 - 86, 2011/00

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.01

Using Rutherford backscattering spectrometry (RBS), we can deduce the concentration of Si vacancy and its depth profile in the $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ layer and find confirmation of the effect of the thermal annealing on reduction of the Si vacancy. The concentration of Si vacancy at the inside of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ is reduced after the long annealing. Contrary to the inside, at the interface the Si vacancy remains at $$sim$$1.5 at% even after the annealing for 360 min. Moreover we find consistency of our analysis of Si vacancy on an evident correlation between the reduction of Si vacancy and improvement of crystallinity (decrease of the $$chi$$$$_{min}$$) by the annealing.

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