検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年
検索結果: 526 件中 1件目~20件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

発表言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

選択した検索結果をダウンロード

論文

Highly black material made from activated carbon

金田 美優*; 榎本 貴允*; 古林 宏之*; 深田 幸正; 狩野 旬*; 青柳 佑海人*; 藤井 達生*; 池田 直*

Japanese Journal of Applied Physics, 65(2), p.028001_1 - 028001_4, 2026/01

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.00(Physics, Applied)

反射率の低い材料は光学素子などにおいて重要な役割を果たす。この研究では、安価な原料と簡易的な合成装置を用いることで、極めて低い反射率を示すホウ素をドープしたカーボンナノウオールの合成に成功した。ナノ構造と表面状態の解析から、カーボンナノウオールにホウ素をドープすることで壁の密度が高くなり、グラファイト部分の割合が低くなることが分かった。我々はナノ構造に起因する迷光効果による光吸収の機構とキャリアドープの効果による電気伝導性の向上について議論する。ホウ素をドープしたカーボンナノウオールは極めて黒い材料への実装に有益である。

論文

Local and electronic structures of BaTiO$$_3$$/KNbO$$_3$$ nanocomposite particles

米田 安宏; 小林 徹; 辻 卓也; 芝田 悟朗; 竹田 幸治*; 斎藤 祐児; Khanal, G. P.*; 藤井 一郎*; 上野 慎太郎*; 佐藤 幸生*; et al.

Japanese Journal of Applied Physics, 64(8), p.08SP07_1 - 08SP07_8, 2025/08

 被引用回数:1 パーセンタイル:0.00(Physics, Applied)

ナノ粒子結晶の表面に別の異なる物質を成長させた複合ナノ粒子が高品位で合成できるようになってきた。このようなナノ構造体の評価には種々のスケールでの異なる評価方法を組み合わせることが効果的である。BaTiO$$_3$$/KNbO$$_3$$ナノ複合粒子の種々の構造評価と電子状態評価を放射光を利用して行った。構造評価からナノ複合粒子はコア部分が100nmのBaTiO$$_3$$で20nmのKNbO$$_3$$で覆われていることが確認できた。最表面のKNbO$$_3$$のO-K吸収端スペクトルはバルクやナノ粒子のそれとは異なっており、複合粒子化することで化学結合状態が変化することがわかった。

論文

Effect of potassium doping on the electrical properties of stacked graphene layers

山田 貴壽*; 小川 修一*; 吉越 章隆; 津田 泰孝; 増澤 智昭*; 岡田 光博*; 小橋 和文*; 沖川 侑揮*

Japanese Journal of Applied Physics, 64(7), p.07SP17_1 - 07SP17_5, 2025/07

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.00(Physics, Applied)

Effect of potassium (K) concentration on electrical properties of stacked graphene layers was investigated. Stacked graphene layers were fabricated by repeated wet transfer process using chemical vapor deposited (CVD) single layer graphene on copper foils. Two kinds of K concentration in potassium hydroxide (KOH) solutions were used to change the K concentration in the stacked graphene layers. Non-doped stacked graphene layers were also fabricated as reference. In synchrotron-radiation X-ray photoelectron spectra, peaks due to K and carbon (C) were obtained. It was found from the obtained peak intensities that K/C peak intensity ratio was increase with increasing of K concentration in KOH solution. No defect or damage in the stacked graphene layers during doping process using KOH solutions was not formed from results of Raman spectroscopy. Sheet resistance, sheet carrier density and carrier mobility were measured by means of Hall effect measurements. Carrier polarity was changed from hole to electron by K doping. Although the sheet carrier densities of lightly and heavily K-doped graphene layers were almost same, the highest carrier mobility was obtained for lightly K-doped graphene layers. Electrons are doped from K atoms to compensate for the naturally existing holes in the stacked graphene layers, and the excess electrons doped from K atoms in the conduction band, which were measured the sheet carrier density, contribute to carrier transport. However, the additional K atoms act as scattering centers and inhibit carrier transport, which explains the decrease in carrier density in the highly K-doped graphene layers.

論文

Local and electronic structures of NaNbO$$_3$$, AgNbO$$_3$$, and KNbO$$_3$$

米田 安宏; 小林 徹; 辻 卓也; 松村 大樹; 斎藤 祐児; 野口 祐二*

Japanese Journal of Applied Physics, 63(9), p.09SP12_1 - 09SP12_10, 2024/09

 被引用回数:3 パーセンタイル:40.38(Physics, Applied)

NaNbO$$_3$$、AgNbO$$_3$$、KNbO$$_3$$のABO$$_3$$型ペロブスカイト系は良好な強誘電特性を持つことが知られている。我々は局所構造解析により各原子のラットリング空間を直接決定した。この解析により、大きな揺らぎを持つ結合サイトがイオンサイズの変化によって変化することを明らかにした。軟X線吸収分光法を含む実験から、Aサイトイオンは酸素と混成していることがわかった。

論文

Quantification of radicals in aqueous solution by positronium lifetime; An Experiment using a clinical PET scanner

田久 創大*; 松本 謙一郎*; 平出 哲也; 錦戸 文彦*; 赤松 剛*; 田島 英朗*; 高橋 美和子*; 山谷 泰賀*

Japanese Journal of Applied Physics, 63(8), p.086003_1 - 086003_8, 2024/08

 被引用回数:5 パーセンタイル:58.90(Physics, Applied)

陽電子と電子は、生体内で結合状態をとることがあり、ポジトロニウム(Ps)と呼ぶ。三重項Ps(ortho-Ps)が消滅するのにかかる時間はortho-Psピックオフ消滅寿命と言い、周囲の電子密度に応じて変化する。この寿命値はPETスキャン情報に新しい生物学的情報を追加できる可能性がある。ortho-Ps寿命による生体内の(フリー)ラジカルの定量化の実現可能性を議論するために、我々は臨床PETシステムを使用してラジカルを含む水溶液中のPs寿命を測定した。結果は、陽電子消滅イベントの計数統計が10$$^{8}$$イベント以上であれば、数mMオーダーの水溶液中のラジカル濃度の差はoetho-Ps寿命によって定量化できることを示唆した。しかし、この濃度は、生体の生理機能で生成されるラジカル濃度よりも高かった。

論文

An Experimental feasibility study of a 4$$pi$$ gamma-ray imager using detector response patterns

北山 佳治; 野上 光博*; 人見 啓太朗*

Japanese Journal of Applied Physics, 63(7), p.076502_1 - 076502_8, 2024/07

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.00(Physics, Applied)

三次元空間に無作為に配置した複数のガンマ線検出器の応答強度パターンから、ガンマ線源の入射方向を推定する新しいガンマ線イメージング技術の開発を行っている。本論文では、8個のGAGG (Ce)シンチレータキューブと18個の鉛キューブで構成されるガンマ線イメージャー、Coded Cube Camera for Gamma-ray (C3G)を製作し、$$^{137}$$Cs線源の4$$pi$$イメージング実験を実施した。実験の結果、3m先にある10MBqの$$^{137}$$Cs線源を10分間の測定で、angle uncertainty5度の精度でイメージングできることを確認した。一般にガンマ線イメージャーは数百から数千の読み出しチャンネル数が必要となるが、C3Gは僅か8チャンネルの読み出し回路で構成される。そのため回路や再構成アルゴリズムはシンプルにすることができ、安価かつ信頼性の高いイメージャーが実現する。C3Gは大きさ86mm $$times$$ 86mm $$times$$ 86mmのハウジングに格納されており、重量は約600gである。小型軽量で4$$pi$$視野を持ち、高角度分解能を持つ本技術は、天文学や医療、核セキュリティ、原子力発電所の廃止措置など広範な応用が期待される。

論文

Surface morphology of naphtacene single crystals grown by the physical vapor transport technique

城 貞晴*; 鈴木 誠也; 吉村 雅満*

Japanese Journal of Applied Physics, 63(6), p.065503_1 - 065503_4, 2024/06

 被引用回数:0 パーセンタイル:0.00(Physics, Applied)

The surface morphology of naphtacene single crystals grown by the physical vapor transport technique was investigated by atomic force microscopy and white-beam X-ray topography. Locally, two types of line pattern were observed on the basal (001) plane along the [110] and [010] directions, and analyzed from crystallographic viewpoints. Such line patterns are considered in relation to crystallographic periodicities, dislocation lines, and slip-plane phenomena.

論文

Evaluation of quenching characteristics of Li-containing scintillators

渡辺 賢一*; 大島 裕也*; 執行 信寛*; 平田 悠歩

Japanese Journal of Applied Physics, 63(5), p.056001_1 - 056001_5, 2024/05

 被引用回数:1 パーセンタイル:13.00(Physics, Applied)

Liを含むシンチレータ材料は中性子検出に使用されている。Li含有シンチレータは中性子によって生成されたトリトンとアルファ線を検出しており、これらの粒子はガンマ線に比べて高いエネルギーを付与するため、Li含有シンチレータはガンマ線と中性子を分別して測定できる。しかし、シンチレータの発光効率は消光効果と呼ばれる現象により粒子線に対して低下する。正確に中性子とガンマ線を分別するためには消光効果の評価が必要となる。消光効果によるシンチレーション効率変化予測にはBirksの式が用いられるが、Birksの式に含まれる消光係数を決定する必要がある。そこで、本研究ではPHITSを使用し、消光係数をフリーパラメータとしたBirksの式に基づき消光効果を考慮したLi含有シンチレータの発光量を計算した。そして、シミュレーション結果と実験により得られた発光量を比較することで、Liガラス、Ce:LiCaAlF$$_{6}$$、Eu:LiCaAlF$$_{6}$$シンチレータの消光係数を決定した。

論文

Simulation of a gamma-ray imaging technique using detector response patterns

北山 佳治; 野上 光博*; 人見 啓太朗*

Japanese Journal of Applied Physics, 63(3), p.032005_1 - 032005_6, 2024/03

 被引用回数:1 パーセンタイル:13.00(Physics, Applied)

検出器の応答パターンを利用した新しいガンマ線イメージング技術を紹介する。この方法では、三次元状にランダムに配置された複数の遮蔽体キューブを使用する。これらのキューブで定義された領域内では、ガンマ線の入射方向に基づいて固有のガンマ線フラックスパターンが形成される。このパターンは、複数のシンチレーターキューブの応答パターンとして測定される。ガンマ線の入射方向と対応する検出器応答パターンを事前に測定することで、アンフォールディング法を用いて入射方向を推定することができる。$$^{137}$$Cs点線源を用いてシミュレーションを行った。その結果、10MBqの$$^{137}$$Cs線源をイメージャーから3m離れた位置に設置した場合、約10$$^{circ}$$の角度分解能で撮像できることがわかった。これらの結果は、我々の新しい方法が既存のガンマ線イメージング技術と同等以上の性能を有することを示唆している。この撮像法の応用としては、原子力発電所の廃止措置、核医学、セキュリティ、天文学などが考えられる。

論文

Local structure analysis of Bi$$_{0.5}$$Na$$_{0.5}$$TiO$$_3-$$BaTiO$$_3$$ solid solutions

米田 安宏; 小林 徹; 辻 卓也; 松村 大樹; 斎藤 祐児; 野口 祐二*

Japanese Journal of Applied Physics, 62(SM), p.SM1006_1 - SM1006_8, 2023/11

 被引用回数:6 パーセンタイル:48.05(Physics, Applied)

Bi$$_{0.5}$$Na$$_{0.5}$$TiO$$_3-$$BaTiO$$_3$$ (BNT$$-$$BT)固溶体は良い圧電特性を示すため多くの研究が行われてきた。また、BT組成に応じてバラエティーに富んだ相が観測される。BNT$$-$$BT固溶体の軟X線吸収分光実験と高エネルギーX線回折実験を放射光を利用して行った。得られたBNT$$-$$BT固溶体の電子構造と局所構造から、BTの置換効果は主にBaの置換サイトであるAサイトで起こっていることがわかった。BT組成の変化に対してTiO$$_6$$八面体の菱面体晶ひずみは変化しておらず、O-K吸収端で生じた電子構造の変化は混成状態の変化であると考えられる。

論文

Development of an electron track-structure mode for arbitrary semiconductor materials in PHITS

平田 悠歩; 甲斐 健師; 小川 達彦; 松谷 悠佑*; 佐藤 達彦

Japanese Journal of Applied Physics, 62(10), p.106001_1 - 106001_6, 2023/10

 被引用回数:7 パーセンタイル:41.26(Physics, Applied)

半導体検出器の設計を最適化するには、半導体物質内において放射線がキャリア(励起電子)に変換されるまでの過程を理論的に解析する必要がある。本研究では、任意の半導体物質に対し、放射線により生じる二次電子の挙動を極低エネルギー(数eV)まで追跡し、励起電子が生成される過程を模擬できる機能(ETSART)を開発し、PHITSに実装した。具体的には、ETSARTを用いて計算した電子の飛程はICRU37で推奨されたデータ別の計算結果と一致することを確認した。さらに、半導体検出器の特性を表す重要な指標である、一つの励起電子の生成に必要な平均エネルギー($$varepsilon$$値)について検討し、これまで$$varepsilon$$値とバンドギャップエネルギーの関係は単純な直線モデルで考えられていたが、その関係は非線形関数であることを明らかにした。ETSARTは半導体検出器の最適化設計や応答解析に留まらず、新しい半導体物質の特性評価への応用も期待できる。

論文

Formation of high-quality SiO$$_{2}$$/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO$$_{2}$$

大西 健太郎*; 小林 拓真*; 溝端 秀聡*; 野崎 幹人*; 吉越 章隆; 志村 考功*; 渡部 平司*

Japanese Journal of Applied Physics, 62(5), p.050903_1 - 050903_4, 2023/05

 被引用回数:9 パーセンタイル:59.01(Physics, Applied)

高品質SiO$$_{2}$$/GaN MOS構造の実現には、GaO$$_{x}$$界面層の形成が有効である。しかしGaO$$_{x}$$層を形成した場合、熱処理条件を注意深く設計しなければ、GaO$$_{x}$$層の還元に伴い正の固定電荷が生成する。そこで本研究では、GaN上にSiO$$_{2}$$をスパッタ成膜することで、不安定なGaO$$_{x}$$層を最小限に抑制することを目指した。実際に放射光X線光電子分光測定により、プラズマ化学気相成長法(PECVD)でSiO$$_{2}$$を成膜した場合と比較して、スパッタ成膜ではGaO$$_{x}$$層が抑制できることを確認した。成膜後に適切な温度で酸素・フォーミングガスアニールを実施することで、良好な界面特性、絶縁性を有するGaN MOSデバイスを実現した。

論文

Local structure analysis of BiFeO$$_3$$-BaTiO$$_3$$ solid solutions

米田 安宏; Kim, S.*; 森 茂生*; 和田 智志*

Japanese Journal of Applied Physics, 61(SN), p.SN1022_1 - SN1022_10, 2022/11

 被引用回数:5 パーセンタイル:32.36(Physics, Applied)

(1-${it x}$)BiFeO$$_3$$-${it x}$BaTiO$$_3$$固溶体の局所構造解析を放射光高エネルギーX線回折実験で得られたデータをPDF解析することによって行った。まず、XAFS実験を行いサンプルスクリーニングを行ったところ、BiFeO$$_3$$リッチな組成での構造揺らぎが大きいことがわかった。そこでBiFeO$$_3$$リッチな組成のサンプルのPDF解析を行った。その結果、平均構造は立方晶構造であるものの局所構造は菱面体晶構造で再現でき、さらに揺らぎの大きな組成では菱面体晶の対称性を破る変位があることがわかった。

論文

Implementation of the electron track-structure mode for silicon into PHITS for investigating the radiation effects in semiconductor devices

平田 悠歩; 甲斐 健師; 小川 達彦; 松谷 悠佑; 佐藤 達彦

Japanese Journal of Applied Physics, 61(10), p.106004_1 - 106004_6, 2022/10

 被引用回数:7 パーセンタイル:44.16(Physics, Applied)

検出器や半導体メモリなどのSiデバイスにおいて、パルス波高欠損やソフトエラーなどの放射線影響が問題となっている。このような放射線影響のメカニズムを解明するためには、放射線による精密なエネルギー付与情報が必要である。そこで、Siにおける電子線のエネルギー付与をナノスケールで計算できる電子線飛跡構造解析機能を開発しPHITSに実装した。開発した機能の検証として電子の飛程や付与エネルギー分布を計算したところ、既報のモデルと一致することを確認した。また、一つのキャリア生成に必要なエネルギー($$varepsilon$$値)について、実験値を再現する二次電子生成のエネルギー閾値は2.75eVであることを見出すとともに、このエネルギー閾値は解析的に計算された結果および実験値と一致することがわかった。本研究で開発した電子線飛跡構造解析機能はSiデバイスに対する放射線影響の調査に応用することが期待される。

論文

Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO$$_{2}$$/4H-SiC(11$$overline{2}$$0) interfaces

中沼 貴澄*; 岩片 悠*; 渡部 ありさ*; 細井 卓治*; 小林 拓真*; 染谷 満*; 岡本 光央*; 吉越 章隆; 志村 考功*; 渡部 平司*

Japanese Journal of Applied Physics, 61(SC), p.SC1065_1 - SC1065_8, 2022/05

 被引用回数:10 パーセンタイル:57.39(Physics, Applied)

本研究ではSiC(11$$overline{2}$$0)面のNO窒化過程を詳細に観察し、MOSキャパシタの電気的特性への影響を調べた。具体的には、走査型X線光電子分光法によりサブナノメートルオーダの窒素分布プロファイリングを行った。その結果、窒化は(0001)面よりもはるかに速く進行し、界面の窒素濃度は約2.3倍であった。暗所および紫外線照射下で容量-電圧($$C-V$$)測定を行い、伝導帯端/価電子帯端近傍の欠陥や、$$C-V$$ヒステリシス・シフトを引き起こす欠陥を評価した。これらの欠陥は、窒化の進行とともに失活化されたが、過度の窒化は逆に電気的特性の劣化を招くことが分かった。以上の実験結果をもとに、NO窒化の最適条件を議論した。

論文

Precise magnetization measurements down to 500 mK using a miniature $$^3$$He cryostat and a closed-cycle $$^3$$He gas handling system installed in a SQUID magnetometer without continuous-cooling functionality

島村 一利*; 輪島 裕樹*; 牧野 隼士*; 阿部 聡*; 芳賀 芳範; 佐藤 由昌*; 河江 達也*; 吉田 靖雄*

Japanese Journal of Applied Physics, 61(5), p.056502_1 - 056502_7, 2022/05

 被引用回数:4 パーセンタイル:25.69(Physics, Applied)

We have conducted precise magnetization measurements down to 500 mK using a commercial magnetometer. The gas handling system contains two sorption pumps filled with granular charcoals. $$^3$$He gas is pressurized up to ambient pressure for liquification at 3 K and the vapor is pumped for cooling. We demonstrate the performance of the system by observing the Meissner effect of aluminum below the superconducting transition temperature.

論文

Radiation robustness of laser ceramics and single crystal for microchip laser remote analysis

田村 浩司; 中西 隆造; 大場 弘則; 平等 拓範*; 若井田 育夫

Japanese Journal of Applied Physics, 61(3), p.032003_1 - 032003_5, 2022/03

 被引用回数:2 パーセンタイル:11.42(Physics, Applied)

Laser pulse energy and pulse build-up time were measured during gamma irradiation at a dose rate of 150 Gy/h to evaluate the radiation-induced effects and robustnesson a laser remote inspection system using ceramics and single crystal microchip laser. Results showed a time-dependent decrease in pulse energy and increase in pulse build-up time during irradiation. Both effects were larger for ceramics than for single crystal due to the amount of generated optical loss. The behaviors of pulse energy and build-up time with the increase in optical loss in the gain medium were simulated using rate equation calculations. The radiation effect on build-up time was larger than that on pulse energy for both specimens. Therefore, build-up time measurement is highly sensitive and effective for the evaluation of radiation effect generated in laser medium, especially for radiation robust specimens or at low radiation dose rate.

論文

Strain distribution visualization of punched electrical steel sheets using neutron Bragg-edge transmission imaging

笹田 星児*; Takahashi, Yoshihito*; Takeuchi, Keisuke*; 廣井 孝介; Su, Y. H.; 篠原 武尚; 渡辺 賢一*; 瓜谷 章*

Japanese Journal of Applied Physics, 61(4), p.046004_1 - 046004_8, 2022/03

 被引用回数:2 パーセンタイル:11.42(Physics, Applied)

Residual strains in a punched electrical steel sheet increase the iron loss in the steel sheet. To accurately estimate the effect of residual strain on iron loss, the residual strain distribution in a punched electrical steel sheet should be evaluated. In this study, we demonstrated the two- dimensional imaging of the residual strain distribution in a punched electrical steel sheet using the neutron Bragg-edge transmission imaging method. To improve the accuracy of strain measurement with minimal deterioration of spatial resolution, we applied a process of superposing many specimen images. The tensile strain near the punched edge and the compressive strain inside the core were experimentally confirmed using this method. Finally, the neutron Bragg-edge imaging results and those obtained from kernel average misorientation map using electron backscattered diffraction were compared to verify the validity of the proposed method.

論文

High-spatial-resolution measurement of magnetization distribution using polarized neutron imaging

笹田 星児*; 廣井 孝介; 小山内 健太*; 篠原 武尚; Watanabe, K.*; 瓜谷 章*

Japanese Journal of Applied Physics, 60(12), p.126003_1 - 126003_6, 2021/12

 被引用回数:4 パーセンタイル:19.54(Physics, Applied)

The evaluation of the magnetization distribution inside a bulk magnet is important for ensuring the performance of automotive motors because it strongly depends on the quality of magnetization inside the permanent magnet. In the conventional destructive method, it is difficult to accurately measure the magnetization with a high spatial resolution. The polarized neutron imaging technique can be used to visualize the distribution of the magnetic flux density inside a magnet nondestructively. In this study, we demonstrated the imaging of the magnetization distribution using polarized neutrons in an anisotropic ferrite magnet sample. The 2D distribution of the magnetization was experimentally obtained by polarized neutron imaging with a high spatial resolution of less than 1 mm. Furthermore, the validity of the results was confirmed by comparing them with those obtained using the conventional destructive method.

論文

Nanoscale structural analysis of Bi$$_{0.5}$$Na$$_{0.5}$$TiO$$_3$$ in high-temperature phases

米田 安宏; 野口 祐二*

Japanese Journal of Applied Physics, 60(SF), p.SFFA08_1 - SFFA08_10, 2021/11

 被引用回数:6 パーセンタイル:30.30(Physics, Applied)

Bi$$_{0.5}$$Na$$_{0.5}$$TiO$$_3$$(略称、BNT)は)は非鉛材料でありながら比較的大きな圧電特性を示すため、多くの研究が行われてきた。我々は化学量論的に正しい組成を持つ高品位BNTを用いて局所構造解析を行い、Bi/Naの局所的なオーダー構造を見出した。BNTは400$$^{circ}$$Cで常誘電体相へと相転移するが、高温相において、新たなdisorder構造が高温相で出現すると考えた。そこで、高温相において、放射光高エネルギーX線を用いた2体相関分布関数(PDF)解析を行った。その結果、BNTは200$$^{circ}$$CからBiがシフトし、このシフト量が相転移のオーダーパラメーターとなってることを見出した。

526 件中 1件目~20件目を表示