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論文

Kinetics of silver photodiffusion into amorphous Ge$$_{20}$$S$$_{80}$$ films; Case of pre-reaction

坂口 佳史*; 花島 隆泰*; 青木 裕之; 朝岡 秀人; Simon, A.-A. A.*; Mitkova, M.*

Physica Status Solidi (A), 215(12), p.1800049_1 - 1800049_12, 2018/06

 被引用回数:4 パーセンタイル:32.53(Materials Science, Multidisciplinary)

Silver photodiffusion into amorphous chalcogenide has attracted much attention because of its potential applications for example in memory devices. For its development, it is important to know how Ag ions diffuse in chalcogenide layers upon light exposure. In this paper, the photo-induced effect on pre-reacted films before light exposure, originating from Ag/Ge$$_{20}$$S$$_{80}$$/Si substrate and Ge$$_{20}$$S$$_{80}$$/Ag/Si substrate is investigated, using neutron reflectivity, X-ray reflectivity, and X-ray diffraction. Two types of pre-reacted films according to the original stacking order are obtained. In both cases, a pure Ag layer almost disappeared, and there is a small amount of monoclinic Ag$$_{2}$$S. The reaction time for the photodiffusion is shorter, in both cases, than that in Ag/Ge$$_{20}$$S$$_{80}$$ with a pure Ag layer, indicating a different reaction process. After prolonged light exposure, a uniform amorphous reaction layer is produced in the films originating from the Ag/Ge$$_{20}$$S$$_{80}$$/Si substrate, while both an amorphous reaction product and the Ag$$_{2}$$S fragments exist in the films originating from Ge$$_{20}$$S$$_{80}$$/Ag/Si substrate. The mechanism of the specific photo-reaction is discussed in terms of the role of the Ag$$_{2}$$S fragments.

論文

Fano factor evaluation of diamond detectors for alpha particles

嶋岡 毅紘*; 金子 純一*; 佐藤 優樹; 坪田 雅功*; 新名 宏明*; 茶谷原 昭義*; 渡辺 幸志*; 梅沢 仁*; 杢野 由明*

Physica Status Solidi (A), 213(10), p.2629 - 2633, 2016/10

 被引用回数:3 パーセンタイル:20.49(Materials Science, Multidisciplinary)

This report is the first describing experimental evaluation of Fano factor for diamond detectors. High-quality self-standing chemical vapor deposited diamond samples were produced using lift-off method. Alpha-particle induced charge measurements were taken for three samples. A 13.1 eV $$pm$$ 0.07 eV of the average electron-hole pair creation energy and excellent energy resolution of approximately 0.3$$%$$ were found for 5.486 MeV alpha particles from an $$^{241}$$Am radioactive source. The best Fano factor for 5.486 MeV alpha particles calculated from experimentally obtained epsilon values and the detector intrinsic energy resolution was 0.382 $$pm$$ 0.007.

論文

Valence-band electronic structure evolution of graphene oxide upon thermal annealing for optoelectronics

山口 尚人*; 小川 修一*; 渡辺 大輝*; 穂積 英彬*; Gao, Y.*; 江田 剛輝*; Mattevi, C.*; 藤田 武志*; 吉越 章隆; 石塚 眞治*; et al.

Physica Status Solidi (A), 213(9), p.2380 - 2386, 2016/09

 被引用回数:8 パーセンタイル:46.1(Materials Science, Multidisciplinary)

本論文では加熱による酸化グラフェンの還元過程について報告する。酸化グラフェンにおいて酸素官能基の修飾度合いは加熱温度により制御できるため、加熱温度による価電子帯構造の変化をリアルタイム光電子分光で調べた。600$$^{circ}$$C以上の加熱により、フェルミ準位近傍の状態密度の顕著な増加が確認された。この結果は、600$$^{circ}$$Cにおいてバンドギャップが存在する酸化グラフェンからギャップが存在しない酸化グラフェンへと変化したことを示している。この成果は酸化グラフェンの光電子工学への応用を期待させるものである。

論文

Processes of silver photodiffusion into Ge-chalcogenide probed by neutron reflectivity technique

坂口 佳史*; 朝岡 秀人; 魚住 雄輝; 川北 至信; 伊藤 崇芳*; 久保田 正人; 山崎 大; 曽山 和彦; Sheoran, G.*; Mitkova, M.*

Physica Status Solidi (A), 213(7), p.1894 - 1903, 2016/07

 被引用回数:7 パーセンタイル:41.71(Materials Science, Multidisciplinary)

アモルファスGeカルコゲナイド/銀の界面において光を照射すると拡散が促進される。非破壊かつ時間分解で観測できるJ-PARC(写楽)の中性子反射率測定を用いて、光照射によってAgが初期の急速な拡散から緩やかな拡散と2段階のプロセスを経て、界面の拡散層が形成されている様子を捉えた。

論文

New application of NV centers in CVD diamonds as a fluorescent nuclear track detector

小野田 忍; 春山 盛善; 寺地 徳之*; 磯谷 順一*; 加田 渉*; 花泉 修*; 大島 武

Physica Status Solidi (A), 212(11), p.2641 - 2644, 2015/11

 被引用回数:6 パーセンタイル:33.5(Materials Science, Multidisciplinary)

Nitrogen-vacancy (NV) center in diamond is a luminescent point defect with applications of quantum computation and atomic scale sensors. One of the most important features of NV center is high emission rate. This enables single NV centers to be detected using a confocal laser scanning microscope. In this study, we propose a new application of NV centers as a single ion track detector. We perform 490 MeV Os ion irradiation to diamond grown by chemical vapor deposition (CVD) technique. After high temperature annealing at 1000 $$^{circ}$$C, the ion track is able to be visualized by using confocal laser scanning microscope. In short, we have successfully detected ion track in diamonds.

論文

Magnetic and dielectric properties of the ruthenium double perovskites La$$_{2}$$MRuO$$_{6}$$ (M=Mg, Co, Ni, and Zn)

吉井 賢資; 池田 直*; 水牧 仁一朗*

Physica Status Solidi (A), 203(11), p.2812 - 2817, 2006/09

 被引用回数:30 パーセンタイル:76.64(Materials Science, Multidisciplinary)

ルテニウムを含む標記酸化物につき、その磁性及び誘電特性について調べた。結晶構造解析からは、結晶構造は、知られているように単斜晶であることが確かめられた。磁化測定からは、MがCoとNiの場合には、20-30Kに反強磁性転移が起こり、また、MがZnとMgの場合には磁気転移は起こらないことがわかった。MがZnの場合の結果は、強磁性転移が160Kに起こるとされている文献の結果とは異なる。誘電測定の結果からは、MがCoとNiの場合には数千程度の大きな誘電率が室温で観測されるが、MがMgとZnの場合には100くらいの誘電率であった。これらの結果を各イオンの電子状態などと関連付けて議論する。

論文

Structural analysis of (Ga,Mn)N epilayers and self-organized dots using MeV ion channeling

黒田 真司*; Marcet, S.*; Bellet-Amalric, E.*; Cibert, J.*; Mariette, H.*; 山本 春也; 酒井 卓郎; 大島 武; 伊藤 久義

Physica Status Solidi (A), 203(7), p.1724 - 1728, 2006/05

 被引用回数:6 パーセンタイル:28.48(Materials Science, Multidisciplinary)

窒化ガリウム(GaN)へMnをドープすることで希薄磁性半導体が形成できると期待されているが、結晶中のMnの占有位置により磁性が変化するため、結晶中のMn位置と磁性の関係を明らかにする必要がある。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)で作製した(Ga,Mn)Nエピ膜及びAlN基板上に形成した(Ga,Mn)Nドット中のMnサイトに関する知見を得るためにラザフォード後方散乱(RBS)と粒子誘起X線放出(PIXE)測定を行った。その結果、RBSチャネリングに対応してPIXEにより求めたGa及びMn濃度が減少することを見いだした。このことより、ほぼ全てのMn原子がGaサイトに置換していることが明らかとなった。また、ドット中に含まれるMn濃度のPIXE分析の結果、同一条件でエピ成長をした厚膜よりMn濃度が二$$sim$$三倍高濃度であることが明らかとなり、ドット形成により多量のMnが結晶中に導入できるとの結論が得られた。

論文

Effects of high-energy proton irradiation on the density and Hall mobility of majority carriers in single crystalline n-type CuInSe$$_{2}$$ thin films

Lee, H.-S.*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 吉田 明*; 大島 武; 伊藤 久義; 川北 史朗*; 今泉 充*; 松田 純夫*

Physica Status Solidi (A), 199(3), p.471 - 474, 2003/10

 被引用回数:3 パーセンタイル:22.08(Materials Science, Multidisciplinary)

薄膜宇宙用太陽電池への応用が期待されているCuInSe$$_{2}$$半導体(CIS)の放射線照射効果を明らかにするために、0.38MeV, 1MeV, 3MeV陽子線照射によるキャリア濃度及び移動度の変化を調べた。用いた試料はガリウム砒素基板上にスパッタ法で作製したn型単結晶薄膜であり、未照射でのキャリア濃度は2$$times$$10$$^{16}$$から6$$times$$10$$^{16}$$/cm$$^{3}$$、移動度は105から135cm$$^{2}$$/Vsである。陽子線照射は室温にて1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{15}$$まで行った。キャリア濃度と照射量の関係を解析することでキャリア減少率を求めたところ、3MeV陽子線照射では300cm$$^{-1}$$で0.38Mev陽子線照射では1800cm$$^{-1}$$と見積もられ、高エネルギー陽子線照射ほどキャリア減少率が低いことがわかった。この結果は、低エネルギー陽子線ほど表面付近での欠陥生成量が多く、今回のCIS薄膜試料に大きな損傷を与えるためと解釈できる。また、Hall移動度と照射量の関係を調べたところ、照射量の増加とともに移動度は減少し、1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$照射では、初期値の1/3以下まで低下することが明らかになった。

論文

Magnetic properties of (Mn$$_{1-x}$$V$$_{x}$$)Sb$$_{2}$$O$$_{4}$$ with one-dimensional magnetic arrays

阿部 英樹*; 吉井 賢資; 北澤 英明*

Physica Status Solidi (A), 189(2), p.429 - 432, 2002/02

 被引用回数:1 パーセンタイル:8.02(Materials Science, Multidisciplinary)

正方晶構造を持つ酸化物(Mn$$_{1-x}$$V$$_{x}$$)Sb$$_{2}$$O$$_{4}$$の磁性を調べた。この系はxが0の時には反強磁性体であるが、xが0.1以上になると強磁性的挙動を示すようになることがわかった。等温磁化曲線測定からは、低磁場で強磁性的な磁化の挙動が見られたが飽和磁化は観測されなかった。キュリー温度は57Kであり、この値はxの値や外部磁場周波数に対して一定であった。

論文

Recent progress and future R&D for high-chromium iron-base and chromium-base alloys

菱沼 章道; 高木 清一*; 安彦 兼次*

Physica Status Solidi (A), 189(1), p.69 - 78, 2002/01

 被引用回数:12 パーセンタイル:54.45(Materials Science, Multidisciplinary)

高クロム鉄基合金またはクロム基合金は、現在の代表的工業材料であるオーステナイト鋼やフェライト鋼に比べて優れた高温強度と耐食性を有し次世代の有力な先進材料の一つである。しかしながら、これらの材料は一般的に脆いという大きな欠点があり、その本質的な開発研究はこれまでほとんど行われてこなかった。しかし、最近この脆性が高純度化によって克服される可能性が示され、これらの合金の開発研究が本格的に開始されようとしている。また、原子力材料への応用でも、優れた低放射化性や熱伝導度などから注目されつつある。本レビュー報告書では、クロム基合金を中心に、その魅力ある特性を従来材と比較して概括する。同時に、耐熱合金、耐食材料、原子力材料への適用の可能性及び高純度化によるその脆性の克服に関する現状と今後の展望を概説する。

論文

Effects of neutron irradiation on tensile properties in high-purity Fe-Cr alloys

若井 栄一; 菱沼 章道; 沢井 友次; 加藤 康*; 磯崎 誠一*; 高木 清一*; 安彦 兼次*

Physica Status Solidi (A), 160(2), p.441 - 448, 1997/00

 被引用回数:15 パーセンタイル:67.48(Materials Science, Multidisciplinary)

鉄-クロム系合金を使用する際の注意点の一つとして$$alpha$$'相の析出と関連した457$$^{circ}$$C脆性がある。この$$alpha$$'相の析出は、また中性子照射によっても大きく影響を受ける。本研究では純度の異なる鉄-クロム系合金(9Crから30Crまで)を中性子照射し、引張特性の変化を調べ、また照射によるミクロ組織変化の観察と併せて解析を行っている。一般に照射によって合金の強度は増加し、延性は低下した。照射によるこの強度の増加は、不純物濃度、クロム濃度が高い試料ほど著しかった。763Kでは、引張試験中に急峻な応力の低下が見られた試料もあり、これは高純度で高クロム濃度の試料で著しく、また$$alpha$$'様の析出物はこれらの試料でよく観察された。電子顕微鏡観察では、この析出物が照射によって形成された転位ループ近傍に優先的に発生していることが認められた。

論文

Intrinsic defects in cubic silicon carbide

伊藤 久義; 河裾 厚男; 大島 武; 吉川 正人; 梨山 勇; 谷川 庄一郎*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Physica Status Solidi (A), 162, p.173 - 198, 1997/00

 被引用回数:131 パーセンタイル:97.98(Materials Science, Multidisciplinary)

立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)半導体における点欠陥の構造及びアニール挙動を明確にするために、化学気相成長法によりSi上にエピタキシャル成長させて作製した3C-SiC単結晶試料に1MeV電子線並びに2MeV陽子線等の高速粒子を照射し、照射試料の電子スピン共鳴(ESR)、光励起発光(PL)、陽電子消滅(PAS)測定を行った。この結果、Si単一空孔、C単一空孔/空孔-格子間原子対等の複数の3C-SiC固有の欠陥構造の同定に成功するとともに、それらのアニール挙動を明らかにした。さらに、これらの点欠陥が3C-SiCの電気特性や光学特性に与える影響を、ホール測定及びPL測定結果を基に議論するとともに、現在までに報告された研究結果とも対比して論術する。

論文

Internal friction in single-crystal Al alloys after electron irradiation at low temperature

小桧山 守*; 高村 三郎; 仲田 清智*

Physica Status Solidi (A), 108, p.219 - 224, 1988/09

 被引用回数:1 パーセンタイル:12.6(Materials Science, Multidisciplinary)

照射によって生成する点欠陥は溶質原子と結合して複合体を作る。格子間原子-溶質原子複合体の挙動は照射誘起析出等の問題に関連して重要である。これは溶質原子が格子間原子と一緒に動いてシンクで集合し合金本来の組織と異なった材料に変わってしまうからである。本研究では複合体の構造を調べるために単結晶合金から2結晶方位の試料を作製し、単純な点欠陥を生成するため電子線照射を行った。

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