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on Cu(100) by inner-shell photoexcitation馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉
Surface Science, 402-404, p.115 - 119, 1998/00
被引用回数：4 パーセンタイル：27.77(Chemistry, Physical)Cu(100)表面に単層及び多層吸着したCCl分子に、Cl1s領域の放射光軟X線を照射した時の脱離フラグメントイオンを測定した。単層吸着では、脱離イオン種はCl
のみであり、これはCl1s
共鳴励起後のスペクテータオージェ遷移に伴う速いC-Cl結合解裂に起因する。一方、多層吸着の場合は、分子イオン(CCl
)の脱離も起こり、その脱離強度はX線の吸収量に比例する。このことから、脱離速度が遅い重い分子種の脱離は、オージェ遷移後の二次電子の効果により起こることを明らかにした。
馬場 祐治; 関口 哲弘
Photon Factory Activity Report 1997, P. 91, 1997/00
固体表面に吸着した分子の光化学反応の動的課程は、吸着分子と基板表面の相互作用に依存する。そこで本研究では、CCl分子を電子物性が大きく異なる金属(Cu),半導体(Si)及び絶縁体(SiO
)表面に単層物理吸着させ、Cl 1s励起によるフラグメントイオンの脱離過程を調べた。Cu及びSi表面では、Cl 1s電子励起による脱離イオン種はClのみであったが、SiO表面からはCClなどの分子イオンの脱離も認められた。これはCClイオンの移動速度が遅いため、金属及び半導体表面では表面における伝導電子の遮蔽効果(スクリーニング効果)により励起状態またはイオン化状態が脱離前に消失してしまうためと結論した。
on Cu(100) following Cl K-edge photoexcitation馬場 祐治; 吉井 賢資; 佐々木 貞吉
Photon Factory Activity Report, (14), P. 424, 1996/00
銅単結晶表面に四塩化炭素を種々の厚みで吸着させ、塩素1s電子を放射光軟X線で光励起した時の脱離イオンを測定した。単層吸着では、脱離イオン種はClのみであり、これはCl 1s
共鳴励起後のスペクテータオージェ遷移に伴う速いC-Cl結合解離に寄因する。一方、多層吸着の場合は、CClなど重い分子イオン種の脱離も起こり、これはオージェ遷移後の二次電子の効果によることを明らかにした。
平出 哲也; O.E.Mogensen*
Hyperfine Interactions, 84(1), p.491 - 498, 1994/00
被引用回数：7 パーセンタイル：49.03(Physics, Atomic, Molecular & Chemical)ポジトロンの寿命スペクトルは主に液相において3つの寿命成分によって解析が行われている。しかし、ヘキサンやベンゼン中の寿命は3成分での解析が困難である。そのため第4の成分を導入し解析した例がいくつかある。我々は今回初めてこの第4の成分におよぼす種々の電子捕捉剤の影響を調べ、この第4の成分の形成メカニズム、スパー内における反応等において新しいモデルを提唱した。
阿部 仁; 臼田 重和; 武石 秀世; 館盛 勝一
J. Liquid Chromatogr., 16(12), p.2661 - 2672, 1993/00
硝酸リチウム(LiNO
)の塩析効果を利用し、遠心抽出分配クロマトグラフィ(CPC)による30%TBP抽出系における軽ランタノイドの相互分離を検討した。TBPの希釈剤として、四塩化炭素(CCl)とn・ドデカンを組合わせることで、移動相・固定相間の密度差を小さくし、移動相の送液圧力の低減化を目指した。バッチ実験の結果、1M HNO中のLiNO濃度の上昇とともに、ランタノイドの分配比Dと分離係数は増大した。また30%TBP溶液中へのCClの添加は、を損うことなくDを低下させた。このようなデータに基づき、CPCによるCe、Pr及びEuの分離を、低い送液圧力の下で行うことができた。溶質の濃度効果によって、バッチ実験結果とCPCの解析結果の間には大きな相違が認められたが、30%TBP-35%CCl-35%n・ドデカン、5M LiNO-1M HNO抽出系で、PrとEu間をほぼ完全に分離することができた((Pr/Eu):5.8、resolution(Pr/Eu):2.0)。
sols suitable for gelation into microspheres in CCl-ammonia media山岸 滋; 高橋 良寿
Journal of Nuclear Science and Technology, 22(11), p.915 - 921, 1985/00
被引用回数：9 パーセンタイル：74.48(Nuclear Science & Technology)四塩化炭素-アンモニア系で首尾よくゲル化できるThOゾルの製造条件を検討した。その系は、真球度の秀れたゲル球を与えるが、高品質の原料ゾルを必要とするものである。ヘキソン-アンモニア系でのゲル化に適したThOゾル製造のために以前開発した前中和後pH制御下で中和を進める方法に、PH設定を2段階に行う方式を取入れた。その結果、コロイド粒子径を低下させることなく、ゾル中のThのコロイド等を高めることができた。これにより、ひびがなく大きな真球性ThO粒子を得ることができた。
平野 見明
JAERI-M 5878, 124 Pages, 1974/10
論文は,塩素化剤として四塩化炭素蒸気を使用した塩素化揮発法による照射済みUO燃料からFPの分離についての研究成果をまとめたものである。研究内容は4段階から構成されている。第1段階は未照射合成試料を使用した塩素化-分別凝結実験であって、予備実験である。第2段階は照射済み試料を使用した塩素化-分別凝結実験、ならびに天然CeO粉末添加による放射性セリウムの分離、NaClベッドによる塩化ウラン蒸気の完全捕集、塩素化-分別凝結の繰り返しによる除染係数の改善等の実験である。第3段階は本論文の主体をなすものであって、BaClベッド上における塩化物蒸気の収着-脱着処理によるFPの分離実験である。この処理では、セシウム以外の
放射体がウランからほぼ完全に分離され、回収直後のウランの放射能は天然ウランの放射能以下にまで減少した。第4段階はこのセシウムのHClガスを使用した分離実験である。
