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Gu, B.; 前川 禎通
Physical Review B, 94(15), p.155202_1 - 155202_8, 2016/10
被引用回数：19 パーセンタイル：62.04(Materials Science, Multidisciplinary)The diluted magnetic semiconductors (DMSs) have received considerable attention owing to potential applications based on the use of both charge and spin degrees of freedom in electronic devices. Historically, (Ga,Mn)As has received the most attention in DMSs, and so far the highest Curie temperature in (Ga,Mn)As has been 
= 190 K in the experiment. The substitution of divalent Mn atoms into trivalent Ga sites introduces hole carriers; thus, (Ga,Mn)As is a 
-type DMS. Here, we propose a method to realize DMSs with - and 
-type carriers by choosing host semiconductors with a narrow band gap. By employing a combination of the density function theory and quantum Monte Carlo simulation, we demonstrate such semiconductors using Mn-doped BaZn
As, which has a band gap of 0.2 eV. In addition, we found a nontoxic DMS Mn-doped BaZnSb, of which the Curie temperature is predicted to be higher than that of Mn-doped BaZnAs, the of which was up to 230 K in a recent experiment.
中平 昌隆; 柴沼 清; 梶浦 宗次*; 渋井 正直*; 小泉 興一; 武田 信和; 角舘 聡; 田口 浩*; 岡 潔; 小原 建治郎; et al.
JAERI-Tech 2002-029, 27 Pages, 2002/03
JAERI-Tech-2002-029.pdf:2.04MB
ITER工学設計活動(EDA)において、日本,ロシア,アメリカによる国際協力の下、真空容器製作技術の開発を進めた。開発では、実規模の真空容器セクタモデル及びポート延長部の製作・試験により、真空容器製作・組立技術に関する重要な情報として、製作時及び現地組立時の溶接変形量,寸法精度と許容公差を得た。特に、真空容器セクタの製作時及びセクタ間の現地溶接時における寸法公差
3mmと10mmを達成し、要求値である5mmと20mmをそれぞれ満足した。また、遠隔溶接ロボットによる作業性の確認を行った。本報告では、厚板で変形を抑えるための溶接方法や、セクター間現地溶接部の溶接技術及び遠隔溶接技術など真空容器製作技術開発のプロジェクトを通じて得られた製作,組立技術の開発成果について報告する。
森 清治*; 関 泰
Journal of Nuclear Science and Technology, 24(1), p.1 - 11, 1987/01
被引用回数：6 パーセンタイル：55.28(Nuclear Science & Technology)核融合実験炉に存在すると想定される数mmから数cmの幅のギャップにおける放射線ストリーミング効果に関する解析を実施した。まずモンテカルロ計算等との比較により適当な補正を行なえば、166角度分点(前方131分点)の2次元SN計算により、遮蔽設計上ほぼ十分な精度で解析できることを確認した。次にギャップ幅、遮蔽厚さ、ストリーミング低減のための段差形状等についてのパラメトリックな計算を行ない、遮蔽設計に有用なデータを取得した。最後にFER遮蔽体系での設計計算を行ない、設計基準値との比較検討を行なった。
As and BaZnSbGu, B.; 前川 禎通
no journal, ,
The diluted magnetic semiconductors (DMS) have received considerable attention owing to potential applications based on the use of both their charge and spin degrees of freedom in electronic devices. For (Ga,Mn)As, a classic example of DMS, the highest Curie temperature has been Tc = 190 K. Owing to simultaneous doping of charge and spin induced by Mn substitution, it is difficult to individually optimize charge and spin densities in (Ga,Mn)As. To overcome these difficulties, here we propose a method to realize DMS with p- and n-type carriers by choosing host semiconductors with a narrow band gap. By employing a combination of the density function theory and quantum Monte Carlo simulation, we demonstrate such semiconductors using Mn-doped or Cr-doped BaZnAs, which has a band gap of 0.2 eV. In addition, we found a new non-toxic DMS Mn-doped BaZnSb, of which the Curie temperature Tc is predicted to be higher than that of Mn-doped BaZnAs, the Tc of which was up to 230 K in the recent experiment.
