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小山 知弘*; 家田 淳一; 千葉 大地*
Applied Physics Letters, 116(9), p.092405_1 - 092405_5, 2020/03
被引用回数:3 パーセンタイル:25.71(Physics, Applied)The electric field (EF) modulation of magnetic domain wall (DW) creep velocity in Pt/Co/Pd structure with perpendicular magnetic anisotropy (MA) has been studied. The structures with different Co thickness
up to
nm are investigated. In all samples, applying a gate voltage induces a clear change in
. Thicker samples provide a higher
modulation efficiency, and the
modulation magnitude of more than a factor of 100 times is observed in the thickest
of 0.98 nm. The parameter characterizing the creep motion is significantly affected by the EF, resulting in the modulation of
. Unlike the
case, the MA modulation efficiency decreases with increasing
. The present results are discussed based on the EF-induced change in the interfacial Dzyaloshinskii-Moriya interaction (iDMI), which has been recently demonstrated in the same structure, and
dependence of the DW energy. The
dependence of the
modulation suggests that the EF effect on the iDMI is more important than the MA.
小山 知弘*; 仲谷 栄伸*; 家田 淳一; 千葉 大地*
Science Advances (Internet), 4(12), p.eaav0265_1 - eaav0265_5, 2018/12
被引用回数:43 パーセンタイル:88.96(Multidisciplinary Sciences)Pt/Co/Pd非対称構造において電場が磁壁速度を制御できることを示す。ゲート電圧を印加すると、50m/sまでの磁壁速度の著しい変化が観察され、これは以前の研究で観察されたものよりはるかに大きい。さらに、100m/sを超える磁壁速度の明確な変調も確認した。電場による界面のDzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)の数パーセントまでの変化が、速度変調の原因であることがわかった。ここに示されているDMIを介した速度変化は、電場による異方性変調によって引き起こされるものとは根本的に異なるメカニズムである。本結果は、スピントロニクスデバイスの性能を向上させることができるDMI制御によるスピン構造とダイナミクスの電気的操作への道を開くものである。
松田 達磨; Galatanu, A.; 芳賀 芳範; 池田 修悟; 山本 悦嗣; 辺土 正人*; 上床 美也*; 竹内 徹也*; 杉山 清寛*; 金道 浩一*; et al.
Journal of the Physical Society of Japan, 73(9), p.2533 - 2538, 2004/09
被引用回数:8 パーセンタイル:48.69(Physics, Multidisciplinary)立方晶強磁性体UFeP
の単結晶育成に成功し、その単結晶を用いて電気抵抗,比熱,磁化率及び高磁場中磁化測定を行った。強磁性転移温度3.1K,飽和磁化1.3
/Uまた磁化の温度依存性について、5
をもとにした結晶場モデルによって説明を試みた。
小出 芳彦; 逆井 章; 坂本 宜照; 久保 博孝; 杉江 達夫
Review of Scientific Instruments, 72(1), p.119 - 127, 2001/01
被引用回数:39 パーセンタイル:84.67(Instruments & Instrumentation)JT-60U用荷電交換分光装置を開発した。本装置は、加熱用中性粒子ビームと完全電離炭素イオンとが荷電交換反応を行う際の発光スペクトルを分光測定し、そのドップラー拡がり、ドップラーシフト、発光強度からそれぞれ、イオン温度、プラズマ回転速度、炭素密度の情報を得るものである。本装置は以下の特徴を有する。(1)対物光学系等、JT-60U装置と直接接触する部品は、真空容器のベーキング温度である300度の耐熱性を持つと同時にディスラプションに伴う振動に耐える機械的強度を持つ(60gの加速度に耐えることを衝撃試験により確認)。(2)空間、時間に関して、十分な分解能(5cm,16.7ms)と測定点数(59空間点,900時刻点)を持つ。(3)ビームを見ない光学系の併用によりデータ処理を簡略化し、導出した物理情報が実験の方針決定に反映できる程度の高速処理を実現した。本論文では、装置の構成、較正方法、得られた空間分布データを示す。
居田 克巳*; 伊藤 早苗*; 伊藤 公孝; 秀熊 茂*; 三浦 幸俊; 川島 寿人; 森 雅博; 松田 俊明; 鈴木 紀男; 玉井 広史; et al.
Physical Review Letters, 68(2), p.182 - 185, 1992/01
被引用回数:50 パーセンタイル:86.53(Physics, Multidisciplinary)Co-NBIからC-NBIにスイッチすることにより、顕著な粒子のピンチとX
の減少が起きている。この粒子のピンチは、電場による粒子ピンチのモデルと良い一致を示すことを明らかにした。