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Spectral response of $$gamma$$ and electron irradiation pin photodiode

pinフォトダイオードの電子線及び$$gamma$$線照射応答

小野田 忍; 平尾 敏雄; Laird, J. S.; 森 英喜; 岡本 毅*; 小泉 義晴*; 伊藤 久義

Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Laird, J. S.; Mori, H.; Okamoto, Tsuyoshi*; Koizumi, Yoshiharu*; Ito, Hisayoshi

pinフォトダイオードの放射線劣化を電子線と$$gamma$$線照射で比較した。照射には1MeV電子線(照射量: 2.6E13cm$$^{-2}$$から1.3E15cm$$^{-2}$$)と$$gamma$$線(照射量:0.083Mradから71Mrad)を用いた。電子線及び$$gamma$$線とも照射量増加に伴い検出ピーク波長の位置が低波長側へシフトし、かつ強度が低下することを確認できた。また、このシフトを非イオン化エネルギー損失(NIEL)の式を用いて解析した結果、少数キャリア拡散長の損傷係数として7.0E-9g/KeVcm$$^{2}$$が得られ、電子線,$$gamma$$線照射によるダイオード特性の劣化は、ともにNIELの概念で説明できる。

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