interfaces by optical and electrical measurements界面の追求石田 夕起*; 高橋 徹夫*; 奥村 元*; 直本 保*; 土田 秀和*; 吉川 正人; 富岡 雄一*; 緑川 正彦*; 土方 泰斗*; 吉田 貞史*
Ishida, Yuki*; Takahashi, Tetsuo*; Okumura, Hajime*; Jikimoto, Tamotsu*; Tsuchida, Hidekazu*; Yoshikawa, Masahito; Tomioka, Yuichi*; Midorikawa, Masahiko*; Hijikata, Yasuto*; Yoshida, Sadafumi*
1200
の乾燥酸素中で作製した酸化膜と4H-SiC基板界面の光学並びに電気特性の関連性を、容量-電圧(CV)、分光エリプソ(SE)、フーリエ変換赤外(FTIR)測定法を用いて追求した。CV特性からは、1200の乾燥酸素中で作製した酸化膜内部に多量の界面準位と負電荷が存在することがわかった。同じ酸化膜をSEで測定したところ、界面近傍に極めて屈折率の高い界面中間層が存在することが明らかとなった。同じ部位をFTIRで測定すると、溶融石英に比べて結合角の小さいSi-O-Si結合が多数存在する可能性が示唆された。これらの結果から、金属/酸化膜/半導体(MOS)構造のCV特性を大きく変化させている原因は界面中間層にあり、界面中間層の正体は、不完全な酸化で生ずるSuboxide層であると結論された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 389-393 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1013 - 1016 |
発行年月 |
: | 2002/00 |
発表会議名 |
: | International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) |
開催年月 |
: | 2001/10 |
開催都市 |
: | Tsukuba |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：20.33 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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