SiSiの単結晶育成とその物性松田 達磨; 芳賀 芳範 
; 常盤 欣文; 山本 悦嗣 ; 池田 修悟; 大久保 智幸*; 山田 美音子*; 中村 彰夫; 大貫 惇睦
Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Tokiwa, Yoshifumi; Yamamoto, Etsuji; Ikeda, Shugo; Okubo, Tomoyuki*; Yamada, Mineko*; Nakamura, Akio; Onuki, Yoshichika
UTX(T:遷移金属、X:Si, Ge)は、強相関電子系化合物として興味深い物性を示すことから、系統的に研究がなされてきている物質である。しかしながらこれらの物質は、ウランが国際規制物質であることから、純良な単結晶を用いた研究がなされていない物も多い。今回われわれはUCrSiの単結晶育成に初めて成功した。さらに抵抗率と帯磁率の温度依存性測定を行い、正方晶であるこの物質の異方性をあきらかにし、さらにこれまで報告されていた低温27Kの磁気転移以外に新たな相転移と思われる異常を210K近傍で発見した。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 39 |
号 |
: | Suppl.3 |
ページ数 |
: | p.225 - 228 |
発行年月 |
: | 2002/11 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2001/11 |
開催都市 |
: | Hayama |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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