佐藤 泰紀*; 山口 大地*; 大島 明博*; 加藤 孝則*; 池田 重利*; 青木 靖*; 田中 茂; 田畑 米穂*; 鷲尾 方一*
Sato, Yasunori*; Yamaguchi, Daichi*; Oshima, Akihiro*; Kato, Takanori*; Ikeda, Shigetoshi*; Aoki, Yasushi*; Tanaka, Shigeru; Tabata, Yoneho*; Washio, Masakazu*
シンクロトロン放射(SR)を用いた直接的光エッチング法による架橋PTFEの加工を試み、高アスペクト比の微細加工が可能であることを示した。架橋PTFEのエッチング速度は、未架橋PTFEの場合の約2倍であることを見いだした。その理由として、架橋構造に由来する活発化した分子運動が原因でないかと思われる。SR照射後の材料表面をDSCとFT-IRで分析した結果、SR照射後の未架橋PTFEの表面部分(数10
m)は変質し、SRにより架橋されていることが示唆された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.245 - 250 |
発行年月 |
: | 2003/03 |
発表会議名 |
: | 3rd International Symposium on Material Chemistry in Nuclear Environment (Material Chemistry '02) |
開催年月 |
: | 2002/03 |
開催都市 |
: | Tsukuba |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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