Effects of steam annealing on electrical characteristics of 3C-SiC metal-oxide-semiconductor structures

3C-SiC MOS構造の電気特性に及ぼす水蒸気アニーリングの効果

吉川 正人; 児島 一聡; 大島 武; 伊藤 久義; 岡田 漱平; 石田 夕起*

Yoshikawa, Masahito; Kojima, Kazutoshi; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Okada, Sohei; Ishida, Yuki*

3C-SiC半導体を用いた金属-酸化膜-半導体(MOS)トランジスタを実用化するためには、その酸化膜と半導体の界面の電荷トラップ準位の低減が重要な課題となっている。そこでゲート酸化膜作製後に水蒸気中で酸化膜を熱処理することで、界面の電荷トラップが低減されるかどうかを調べた。その結果、3C-SiC MOS構造の界面に対しては、大きな変化が認められなかった。このことは6H-SiC MOS構造の水蒸気アニーリングの結果とは大きく異なった。このことから、界面構造の違いがMOS特性に大きな影響を与えていることがわかった。

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