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Investigation of vacancy-type defects in P$$^{+}$$-implanted 6H-SiC using monoenergetic positron beams

リン注入した6H-SiC中の空孔型欠陥の単一エネルギーポジトロンを用いた研究

上殿 明良*; 大島 武; 伊藤 久義; 鈴木 良一*; 大平 俊平*; 谷川 庄一郎*; 青木 康; 吉川 正人; 梨山 勇; 三角 智久*

Uedono, Akira*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Suzuki, Ryoichi*; not registered; Tanigawa, Shoichiro*; Aoki, Yasushi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Mikado, Tomohisa*

単エネルギー陽電子を用いて、200keVでリン注入を行った6H-SiC中の空孔型欠陥を調べた。室温注入後に結晶に導入された空孔型欠陥のサイズはおもに二重空孔であった。注入試料を等時アニールすることで、熱処理と欠陥(結晶の回復)の関係を調べた。その結果、200$$^{circ}$$C-700$$^{circ}$$Cでは、単一空孔が移動し、結合することで空孔サイズが大きくなる。700$$^{circ}$$C-1000$$^{circ}$$Cでは、さらに大きな空孔クラスタになることがわかった。1000$$^{circ}$$C-1300$$^{circ}$$Cでは、空孔欠陥のサイズは減少し結晶が回復していくことがわかった。また、1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$注入した試料は、室温での注入後は、注入層アモルファス化していること、その後1500$$^{circ}$$Cまで熱処理を行っても、空孔型欠陥は消滅せず、結晶が回復しないことがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1

巻

 :

37

号

 :

5A

ページ数

 :

p.2422 - 2429

発行年月

 :

1998/05

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

6H-SiC; リン注入; 空孔型欠陥; 陽電子消滅; 単一エネルギーポジトロン

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.37.2422

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：53.6

分野：Physics, Applied

Altmetrics

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