A Crystalline hydrogenated carbon film obtained by plasma enhanced chemical vapor deposition

プラズマCVD法により合成された結晶性水素化炭素薄膜

Zhang, Z.*; 鳴海一雅; 楢本洋; Wu, Z.*; 山本春也; 宮下敦巳; 玉田正男

Zhang, Z.*; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi; Wu, Z.*; Yamamoto, Shunya; Miyashita, Atsumi; Tamada, Masao

水素化炭素薄膜をSi(001)上に形成した。ここでプラズマ出力を調整することにより、密度や光学バンドギャップの異なる結晶性薄膜を作成可能であることを見いだした。その中で、水素を最も多く含有する薄膜についていくつかの物性値を評価した結果についての報告である。(1)密度:1.20gr/cm $^{3}$ ,(2)光学バンドギャップ2.75eV、(3)膜中の水素は200 $^{circ}$ C以上で放出され、それに伴い光学バンドギャップ値の減少が見られた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Applied Physics
巻	:	86
号	:	3
ページ数	:	p.1317 - 1321
発行年月	:	1999/08
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キーワード	:	Carbon Film; Hydrogen; Crystalline Film; CVD; Thermal Stability

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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.370888
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登録番号 : A19990118
抄録集掲載番号 : 271066
論文投稿番号 : 16843

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