T.Henkel*; 田中 保宣*; 小林 直人*; I.Koutzarov*; 奥村 元*; 吉田 貞史*; 大島 武
T.Henkel*; not registered; not registered; I.Koutzarov*; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*; Oshima, Takeshi
シリコンカーバイドへスカンジウム及びガリウムの注入を行い、ラザフォード後方散乱、ラマン分光、フォトルミネッセンスにより評価を行った。室温でガリウム注入(1
10
/cm
)を行うと、アモルファス化はしないが非常に多くの欠陥が形成される。その後熱処理により結晶は回復し始め、1630
Cでの熱処理で結晶性は未注入試料まで回復することがわかった。スカンジウム注入においてもガリウムとほぼ同様の結果であった。ラマン分光の結果は、注入後TO,LOともにピークは減少したが、1500C以上の熱処理を行うと未注入試料と同程度まで回復した。電気特性については、1700C熱処理の試料についてキャリア濃度を測定したところ、ガリウム注入試料の方が、スカンジウム注入試料よりキャリア濃度が多く、アクセプタ不純物として有効であった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 512 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.163 - 168 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1998/04 |
開催都市 |
: | America |
開催国 |
: | |
キーワード |
: | シリコンカーバイド; シオン注入; スカンジウム; ガリウム; ラザフォード後方散乱; ラマン分光; フォトルミネッセンス |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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