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SEU testing using cocktail ion beams

カクテルイオンビームを用いたシングルイベントアップセット試験

根本 規生*; 新藤 浩之*; 松崎 一浩*; 久保山 智司*; 大島 武; 伊藤 久義; 梨山 勇; 松田 純夫*

Nemoto, N.*; Shindo, Hiroyuki*; not registered; Kuboyama, Satoshi*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu; Matsuda, Sumio*

地上用1MビットSRAM,4MビットSRAM,16MビットDRAM及び64MビットDRAMのシングルイベントアップセット試験をカクテルビームを用いて行った。カクテルビームは4.0~60.6MeV/mg/cm$$^{2}$$のLETでの照射が可能であり、今回はこのビームを用いて、しきい値LETと飽和反転断面積を見積もった。その結果、これらの集積回路は作製プロセスによってSEUしきい値と反転断面積が大きく異なることが明らかになった。

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