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立方晶シリコンカーバイドMOS構造の$$gamma$$線照射効果

Effects of gamma-ray radiation on 3C-SiC MOS structure

吉川 正人; 森田 洋右; 伊藤 久義; 三沢 俊司*; 梨山 勇*; 吉田 貞史*

Yoshikawa, Masahito; Morita, Yosuke; Ito, Hisayoshi; not registered; Nashiyama, Isamu*; Yoshida, Sadafumi*

ドライ酸化膜を持つ3C-SiC MOSキャパシタの照射効果を高周波C-V特性を用いて評価した。照射によってC-Vカーブは負バイアス側へシフトし、傾きが変化した。この挙動はSi MOSキャパシタの照射効果と同じであった。C-V特性の解析から、3C-SiC/SiO$$_{2}$$界面及びSiO$$_{2}$$膜中に照射でトラップサイトが発生することがわかった。この発生量は照射中の正のゲートバイアスで促進され、また酸化プロセスに大きく依存した。Si MOS構造の照射で発生するトラップ量の吸収線量依存性との比較から、3C-SiC MOS構造はトラップ発生がおこりにくく、耐放射線性にすぐれることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

EIM-90-130

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.47 - 55

発行年月

 :

1990/12

発表会議名

 :

電気学会

開催年月

 :

1990/12

開催都市

 :

大阪

開催国

 :

キーワード

 :

立方晶シリコンカーバイド; 3C-SiC; MOS構造; MOSキャパシタ; 固定電荷; 界面準位; CV特性; $$gamma$$線照射

特許データ

 :

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