Gamma-ray irradiation effects on cubic silicon carbide metal-oxide-semiconductor structure

3C-SiC MOS構造の線照射効果

吉川正人; 森田洋右; 伊藤久義; 梨山勇*; 三沢俊二*; 奥村元*; 吉田貞史*

Yoshikawa, Masahito; Morita, Yosuke; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu*; not registered; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*

3C-SiC MOS構造の照射効果を高周波C-V特性を用いて研究した。その結果、3C-SiC/SiO $_{2}$ 界面に界面準位が発生し酸化膜中に固定電荷が蓄積した。これらの量は照射中にMOS構造のゲートに印加されるバイアス極性に依存し、無バイアス及び正バイアスでは、吸収線量の2/3乗に比例して増加した。また負バイアスではまったく増加が認められなかった。この関係はSi-MOS構造の実験結果とよく一致するが、その発生量及び蓄積量はSi-MOS構造のそれよりもはるかに少なかった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV
巻	:
号	:
ページ数	:	p.393 - 398
発行年月	:	1992/00
発表会議名	:	4th Int. Conf. on Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Other IV-IV Materials
開催年月	:	1991/10
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	3C-SiC; 3C-SiC MOS構造; 界面準位発生量; 固定電荷蓄積量; 高周波C-V特性

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登録番号 : B19910209
抄録集掲載番号 : 210295
論文投稿番号 : 11619

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