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Electrical conductivity and defect structure of lanthanum-doped (U,Pu)O$$_{2pm x}$$

ランタンをドープした(U,Pu)O$$_{2pm x}$$の電気伝導率と欠陥構造

辻 利秀*; 内藤 奎爾*; 山下 利之; 藤野 威男*

Tsuji, Toshihide*; not registered; Yamashita, Toshiyuki; Fujino, Takeo*

La$$_{y}$$(U$$_{0.8}$$Pu$$_{0.2}$$)$$_{1-y}$$O$$_{2pm x}$$(y=0.01,0.1)の電気伝導率を1273K、酸素分圧10$$^{-13}$$~10$$^{-1.5}$$Paの範囲で、四端子法を用い測定した。この固溶体の電気伝導率は酸素分圧に対して、3種類の依存性を示す。10$$^{-11}$$Pa以下の低酸素分圧領域で、La$$_{0.1}$$(U$$_{0.8}$$Pu$$_{0.2}$$)$$_{0.9}$$O$$_{2-x}$$の電気伝導率は酸素分圧の増加とともに高くなる。同様な挙動が亜定比組成のLa$$_{0.1}$$U$$_{0.9}$$O$$_{2-x}$$でも観測されていることから、この固溶体にも亜定比組成を持つ相が存在することがわかった。中間酸素分圧領域では電気伝導率は酸素分圧に依存しない。La$$_{0.1}$$(U$$_{0.8}$$Pu$$_{0.2}$$)$$_{0.9}$$O$$_{2}$$の電気伝導率は、U$$_{0.8}$$Pu$$_{0.2}$$O$$_{2}$$の値より、かなり大きくなる。この高い電気伝導率は、電荷の中性条件の結果生成したホールが、U$$^{4+}$$-U$$^{5+}$$間をホッピング伝導するためと考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Alloys and Compounds

巻

 :

213-214

号

 :

ページ数

 :

p.378 - 380

発行年月

 :

1994/00

発表会議名

 :

ACTINIDES-93

開催年月

 :

1993/09

開催都市

 :

America

開催国

 :

キーワード

 :

電気伝導率; 欠陥構造; (U,Pu)O$$_{2pm x}$$; ホッピング伝導

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0925-8388(94)90937-7

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：25.3

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

 :

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