Nashiyama, Isamu; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi; Oshima, Takeshi
TIARAを用いて高崎研で行っている宇宙用半導体の放射線効果について、最近の主要な成果を報告する。シリコン太陽電池に
10
p/cm
の陽子線、10
e/cmの電子線を照射すると、太陽電池の出力が突然ゼロになる突然死現象の発見とそのメカニズムの解明の概略を説明する。次に、サイクロトロン重イオンを用いて宇宙用メモリー素子を照射し、発生するシングルイベント効果を評価した結果、並びに、そのために開発した照射技術について詳しく述べる。我々が開発した照射技術は、散乱ビーム照射法、反跳原子照射法、走査ビーム直接照射法の3手法であり、これを組み合わせてシングルイベント効果を評価する。最後に、重イオンマイクロビームを用いてシングルイベント過度電流を測定し、拡散電流成分とドリフト電流成分の分離測定に成功した結果について述べる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.22 - 25 |
発行年月 |
: | 1997/03 |
発表会議名 |
: | 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research |
開催年月 |
: | 1996/03 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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Altmetrics |
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