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Oxygen-related defects in O$$^{+}$$-implanted 6H-SiC studied by monoenergetic positron beams

O$$^{+}$$注入した6H-SiC中の酸素関連欠陥の陽電子消滅法による研究

上殿 明良*; 谷川 庄一郎*; 大島 武; 伊藤 久義; 青木 康; 吉川 正人; 梨山 勇

Uedono, Akira*; Tanigawa, Shoichiro*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Aoki, Yasushi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu

酸素または窒素注入した6H-SiC中の注入後及び熱処理後の空孔型欠陥について単色エネルギーを用いた陽電子消滅法を用いて調べた。イオン注入量は、1$$times$$10$$^{13}$$,1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$(室温)とし、注入後の熱処理は、1400$$^{circ}C$$まで行った。注入後に残留する欠陥はおもに複空孔と同等の大きさの空孔型欠陥であり、その後の熱処理によって空孔欠陥が拡散及び結合し、1000$$^{circ}C$$での熱処理では空孔クラスターが生成されることがわかった。さらに高温の熱処理を行うと、1$$times$$10$$^{13}$$注入については、酸素、窒素注入試料ともに1400$$^{circ}C$$の熱処理後には欠陥が消滅し注入層が回復することが明らかとなった。1$$times$$10$$^{15}$$注入については、1400$$^{circ}C$$の熱処理を行っても空孔型の欠陥が残留して、注入層が完全には回復しないことが明らかになった。また、酸素注入と窒素注入を比べると、酸素注入試料では、酸素-空孔の複合欠陥が生成されることで、空孔型欠陥サイズの増大が抑制されることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Applied Physics

巻

 :

86

号

 :

10

ページ数

 :

p.5392 - 5398

発行年月

 :

1999/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

6H-SiC; 酸素注入; 陽電子消滅法; 空孔型欠陥; 酸素-空孔

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1063/1.371536

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：46

分野：Physics, Applied

Altmetrics

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