Single event research at JAERI

原研におけるシングルイベントの研究

平尾敏雄; Laird, J. S.; 森英喜; 小野田忍; 若狭剛史; 山川猛; 阿部浩之; 伊藤久義

Hirao, Toshio; Laird, J. S.; Mori, Hidenobu; Onoda, Shinobu; Wakasa, Takeshi; Yamakawa, Takeshi; Abe, Hiroshi; Ito, Hisayoshi

日本原子力研究所のTIARA施設を利用して行っているシングルイベント現象の研究について報告する。われわれは、集束型マイクロビーム及びコリメート型マイクロビームをSi, GaAs, InGaAsダイオードに照射し、発生したシングルイベント過渡電流を測定している。非常に高速な現象であるシングルイベント過渡電流を測定するために、40GHz及び3GHzのオシロスコープを用いた測定システムを構築した。本報ではこれらのシステムを用いて測定したSOIダイオードの過渡電流波形, サイクロトロンからの高エネルギーイオンによるSOIダイオードの過渡電流波形, イオン損傷の影響等の典型的な事例及び解析結果を示した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
巻	:
号	:
ページ数	:	p.161 - 166
発行年月	:	2002/10
発表会議名	:	5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
開催年月	:	2002/10
開催都市	:	Takasaki
開催国	:	Japan
キーワード	:	Single Event; Microbeam; High Energy Ion; Transient Current

特許データ	:
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : B20021245
抄録集掲載番号 : 48000076
論文投稿番号 : 22439

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