Si(111)-77 surface probed by reflection high-energy positron diffraction

反射高速陽電子回折によって調べたSi(111)-77再構成表面

河裾 厚男; 深谷 有喜   ; 林 和彦; 前川 雅樹; 岡田 漱平; 一宮 彪彦

Kawasuso, Atsuo; Fukaya, Yuki; Hayashi, Kazuhiko; Maekawa, Masaki; Okada, Sohei; Ichimiya, Ayahiko

本論文では、よく収束された20keVの陽電子ビームを用いたSi(111)-77再構成表面からの初めての陽電子回折の結果について報告する。1/7次から3/7次の陽電子回折パターンが明瞭に観測された。全反射ロッキング曲線を動力学回折理論によって解析したところ、表面付着原子(アドアトム)が積層欠陥層から約1.52の位置にあることが明らかになった。これは、従来の理論値よりも大きな値であり、アドアトムが真空側に大きく変位していることを示している。

We report the first observation of reflection high-energy positron diffraction from a reconstructed Si(111) surface with an well-collimated 20 kV positron beam. The diffraction pattern clearly exhibited the 1/7-th to 3/7-th order Laue zones in addition to the zero-th and first Laue zones. From the dynamical calculation of the rocking curve in the total reflection region, the vertical position of adatom layer was determined to be 1.52 relative to the stacking fault layer. This value is greater than that predicted in the first principles study suggesting a significant outward relaxation of adatoms.