Molecular effect of Al K $_{alpha}$ X-ray yields from aluminum oxide films for H $^{+}$ and H $^{+}$ $_{2}$ ion bombardments

H $^{+}$ 及びH $_{2}$ $^{+}$ イオン照射によるAl $_{2}$ O $_{3}$ 薄膜からのAl K $_{alpha}$ X線に対する分子効果

not registered; not registered; not registered; Kawatsura, Kiyoshi; Ozawa, K.; not registered

2MV VdG加速器を用いて分子イオン効果の実験を行った。0.8~0.95Mev/amuのH $^{+}$ およびH $_{2}$ $^{+}$ イオンを厚さ100と300のAl $_{2}$ O $_{3}$ 薄膜に照射した。発生するAl K $_{alpha}$ X線スペクトルを結晶分光器を用いて測定した。分光結晶としてはPET(2d=8.74を用いた。KL $^{1}$ X線とKL $^{0}$ X線の強度比を求めると、膜厚100では10%、300では4%各々H $_{2}$ $^{+}$ イオン入射の方がH $^{+}$ イオン入射より大きくなった。この結果、AlL殻の電離確率は分子イオン入射の方が単原子イオン入射に比べて大きくなっていることがわかる。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Phys.Lett.,A
巻	:	97
号	:	5
ページ数	:	p.191 - 193
発行年月	:	1983/00
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キーワード	:	Molecular Effect; Al $_{2}$ O $_{3}$ ; K $_{alpha}$ X-ray; Ion Impact

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登録番号 : A19833256
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論文投稿番号 : 6828

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Molecular effect of Al K X-ray yields from aluminum oxide films for H and H ion bombardments

H及びHイオン照射によるAlO薄膜からのAl K X線に対する分子効果

Molecular effect of Al K $_{alpha}$ X-ray yields from aluminum oxide films for H $^{+}$ and H $^{+}$ $_{2}$ ion bombardments

H $^{+}$ 及びH $_{2}$ $^{+}$ イオン照射によるAl $_{2}$ O $_{3}$ 薄膜からのAl K $_{alpha}$ X線に対する分子効果