Identification of divacancies in 4H-SiC

4H-SiC中の複空孔の同定

Son, N. T.*; 梅田享英*; 磯谷順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義; Janzn, E.*

Son, N. T.*; Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Janzn, E.*

六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)の固有欠陥解明研究の一環として、P6/P7とラベル付けされた格子欠陥(センター)を電子常磁性共鳴(EPR)法及び理論計算(ab initio)法を用いて調べた。室温または850 $^{circ}$ Cでの3MeV電子線照射により4H-SiC中にP6/P7センターを導入し、EPR測定を行った結果、P6/P7センターの近接炭素及びシリコン原子の超微細相互作用定数が電気的に中性の複空孔(V $_{C}$ V $_{Si}$ $^{0}$ )に対する計算値と非常によく一致することがわかった。これにより、正に帯電した炭素空孔と炭素アンチサイト対の光励起三重項状態(V $_{C}$ C $_{Si}$ $^{2+}$ )と従来考えられていたP6/P7センターが、C $_{3V}$ /C $_{1h}$ 対称性を有するV $_{C}$ V $_{Si}$ $^{0}$ の三重基底状態に起因すると結論できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Physica B; Condensed Matter
巻	:	376-377
号	:
ページ数	:	p.334 - 337
発行年月	:	2006/04
発表会議名	:	23rd International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-23)
開催年月	:	2005/07
開催都市	:	Awaji
開催国	:	Japan
キーワード	:	炭化ケイ素(SiC); 格子欠陥; 電子常磁性共鳴(EPR); 電子線照射; 複空孔(V $_{C}$ V $_{Si}$ $^{0}$ )

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.086
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：17.99 分野：Physics, Condensed Matter
Altmetrics	:

登録番号 : B20050728
抄録集掲載番号 : 34000803
論文投稿番号 : 921

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