Divacancy model for P6/P7 centers in 4H- and 6H-SiC

4H-及び6H-SiC中のP6/P7センターについての複空孔モデル

Son, N. T.*; 梅田享英*; 磯谷順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義; Janzn, E.*

Son, N. T.*; Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Janzn, E.*

電子常磁性共鳴(EPR)を用いて六方晶炭化ケイ素(4H-, 6H-SiC)中の欠陥センターであるP6/P7の構造同定を行った。試料はn型,p型の4H-及び6H-SiC及び高品質半絶縁4H-SiCを用いた。室温または850 $^{circ}$ Cでの3MeV電子線照射(210 $^{18}$ 110 $^{19}$ /cm $^{2}$ )によりP6/P7センターを導入した。低温(8K及び77K)での $^{13}$ C及び $^{29}$ Siの超微細相互作用を調べた結果、P6及びP7センターは、それぞれ、結晶のC軸に垂直または平行なシリコン空孔(V $_{Si}$ )と炭素空孔(V $_{C}$ )の複空孔(V $_{C}$ -V $_{Si}$ $^{0}$ )であると決定できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Materials Science Forum
巻	:	527-529
号	:
ページ数	:	p.527 - 530
発行年月	:	2006/00
発表会議名	:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2005 (ICSCRM '05)
開催年月	:	2005/09
開催都市	:	Pittsburgh
開催国	:	U.S.A.
キーワード	:	六方晶炭化ケイ素(4H-, 6H-SiC); 電子線照射; P6/P7センター; 電子常磁性共鳴(EPR); 炭素-シリコン複空孔(V $_{C}$ -V $_{Si}$ $^{0}$ )

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広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : B20051166
抄録集掲載番号 : 35000162
論文投稿番号 : 1714

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