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Crystallization of an amorphous layer in P$$^{+}$$-implanted 6H-SiC studied by monoenergetic positron beams

単色エネルギー陽電子を用いたP$$^{+}$$注入した6H-SiC中アモルファス層の結晶化の研究

上殿 明良*; 谷川 庄一郎*; 大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; Frank, T.*; Pensl, G.*; 鈴木 良一*; 大平 俊行*; 三角 智久*

Uedono, Akira*; Tanigawa, Shoichiro*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Frank, T.*; Pensl, G.*; Suzuki, Ryoichi*; Odaira, Toshiyuki*; Mikado, Tomohisa*

陽電子(単色)消滅法を用いて1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$の200keV-リン(P$$^{+}$$)注入した6H-SiCの注入層を調べた。注入は室温、800$$^{circ}C$$または1200$$^{circ}C$$で行った。室温注入では表層の注入層はアモルファス化、注入層の深部は複空孔がおもに残留していることがわかった。注入後、1700$$^{circ}C$$までの熱処理を行ったところ、空孔型の欠陥のアニール挙動が熱処理の温度領域によって五つに分けられた。また、800$$^{circ}C$$、1200$$^{circ}C$$注入では注入層はアモルファス化はしないが、表層に大きな空孔クラスター残留層、深部には表層に比べサイズの小さな空孔クラスターが残留することがわかった。これらの試料を1700$$^{circ}C$$まで熱処理すると、800$$^{circ}C$$注入試料の残留欠陥サイズが最も小さく、続いて1200$$^{circ}C$$注入試料、最も残留欠陥サイズが大きかったのが室温注入試料となり、注入後同じ温度での熱処理を行っても注入温度によって残留欠陥サイズが異なることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Applied Physics

巻

 :

87

号

 :

9

ページ数

 :

p.4119 - 4125

発行年月

 :

2000/05

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

単色陽電子; 6H-SiC; イオン注入; アモルファス化; 残留欠陥; 空孔クラスターサイズ

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1063/1.373039

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：49.32

分野：Physics, Applied

Altmetrics

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