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6H-SiC n$$^{+}$$pダイオード中の酸素及びシリコンイオンビーム誘起電流

Oxygen and silicon ion beam induced current in 6H-SiC n$$^{+}$$p diodes

大島 武; 佐藤 隆博; 及川 将一; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 伊藤 久義

Oshima, Takeshi; Sato, Takahiro; Oikawa, Masakazu; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi

炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた耐放射線性粒子検出器開発研究の一環として、酸素及びシリコンイオン入射によりSiC n$$^{+}$$pダイオード中に誘起される電荷をイオン誘起過渡電流(TIBIC)により調べた。SiC n$$^{+}$$pダイオードはp型のSiCエピタキシャル膜状にリンの高温(800$$^{circ}$$C)注入及び1650$$^{circ}$$C熱処理によりn$$^{+}$$領域を形成することで作製した。作製したn$$^{+}$$pダイオードに6MeV$$sim$$18MeVのシリコン又は6MeV$$sim$$15MeVの酸素イオンマイクロビームを照射しTIBIC測定を行った。その結果、印加逆方向電圧の増加とともに電界強度が強くなり、空乏層長も伸張することに対応してTIBICシグナルが大きくなり、下降時間が短くなることが観測された。さらにTIBICシグナルを時間積分することで収集電荷量を見積もったところ、イオンの飛程が空乏層長よりも短くなる範囲では収集効率が100%となり、SiCが粒子検出器として応用可能であることが見いだされた。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

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ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第14回講演会

開催年月

 :

2005/11

開催都市

 :

京都

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
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