Takano, Katsuyoshi; Yamamoto, Shunya; Inoue, Aichi; Yoshikawa, Masahito
水素による酸化タングステン薄膜のガスクロミック特性は、薄膜内に形成される三酸化タングステン(WO
)結晶の酸素原子の欠損によって発現すると考えられている。本研究では新しい試みとして、入射エネルギーが40keV以上のH
イオンあるいはHeイオン照射により、高周波マグネトロンスパッタ法を用いて作製したWO結晶内に酸素原子の欠損を意図的に作る実験を行い、水素による着色率のイオン照射量依存性を調べた。その結果、成膜直後は低かった着色率が、イオン照射により2倍以上増加し、酸化タングステン薄膜のガスクロミック特性の改善が可能であることがわかった。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2005/12 |
開催都市 |
: | 東京 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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