集束イオンビーム描画によるレジスト材料のマイクロマシニング

Micro-machining of resist materials using MeV proton microbeams

打矢 直之*; 原田 卓弥*; 村井 将人*; 西川 宏之*; 芳賀 潤二; 佐藤 隆博; 及川 将一*; 酒井 卓郎; 石井 保行; 福田 光宏*; 山本 春也; 神谷 富裕

Uchiya, Naoyuki*; Harada, Takuya*; Murai, Masato*; Nishikawa, Hiroyuki*; Haga, Junji; Sato, Takahiro; Oikawa, Masakazu*; Sakai, Takuro; Ishii, Yasuyuki; Fukuda, Mitsuhiro*; Yamamoto, Shunya; Kamiya, Tomihiro

レジスト材料の露光には一般にX線,EUV,電子線等の描画媒体が用いられているが、これらの描画媒体は物質中での原子及び電子との散乱のため、物質深部での加工性が極めて悪い。一方、MeV領域集束プロトンビームは、従来の媒体に比べて物質中での横方向への散乱が少なく、直進性が良いため、従来の媒体では製作が困難であった十を超える加工厚に適しており、高アスペクト比を有する3D構造体の形成が可能である。本研究ではポジ型レジスト(PMMA)及びネガ型レジスト(SU-8)へのMeV領域プロトンビーム照射により描画実験を行い、有機溶剤によるエッチング、すなわち現像を行うことで3D構造体を作製した。さらに、この構造の形状観察を走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて行い、加工精度に関する評価を行った。この評価により高アスペクト比を有する3D構造体の製作に成功していることが確認できたので、結果をシンポジウムで報告する。

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