イオンビーム照射による酸化タングステンのガスクロミック特性の向上

Improvement of gasochromic properties in tungsten oxide by ion irradiation

高野 勝昌; 山本 春也; 吉川 正人; 井上 愛知

Takano, Katsuyoshi; Yamamoto, Shunya; Yoshikawa, Masahito; Inoue, Aichi

現在、酸化タングステン(WO)薄膜の水素吸着により着色する特性(ガスクロミック特性)を利用した、光学式水素センサーの研究開発が進められている。このガスクロミック特性は、薄膜内に形成されるWO結晶の酸素原子の欠陥によって発現すると考えられている。本研究では新しい試みとして、高エネルギーのイオン照射により、成膜したWO結晶内に酸素原子の欠陥を意図的に作る実験を行い、水素による着色率の照射量依存性を調べ、ガスクロミック特性の向上を検討した。その結果、成膜直後は低かった着色率が、イオン照射により2倍以上増加し、酸化タングステン薄膜のガスクロミック特性の改善が可能であることがわかった。

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