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Electrical characteristics of p-channel 6H-SiC MOSFETs irradiated with $$gamma$$-rays

$$gamma$$線照射したpチャンネル6H-SiC MOSFETの電気特性

菱木 繁臣; 大島 武; 岩本 直也; 河野 勝泰*; 伊藤 久義

Hishiki, Shigeomi; Oshima, Takeshi; Iwamoto, Naoya; Kawano, Katsuyasu*; Ito, Hisayoshi

六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)エピタキシャル膜上にpチャンネル6H-SiC金属-酸化膜-半導体(MOSFET)を作製し、$$gamma$$線を8.70, 4.35, 0.87kGy/hourの線量率で照射し、電気特性の変化を調べた。$$gamma$$m線の線量率が8.70, 0.87kGy/hourと4.35kGy/hourの場合ではしきい値電圧の変化量は異なり、その原因として界面準位の発生量が異なることが見いだされた。一方、$$gamma$$線照射による酸化膜中の固定電荷の発生量に違いは観測されなかった。また、$$gamma$$線照射試料のアニーリング効果を調べた結果、界面準位はアニーリング温度の増加とともに減少し350$$^{circ}$$C付近でほぼ消失するが、酸化膜中の固定電荷密度は変化しないことがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7)

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.173 - 176

発行年月

 :

2006/10

発表会議名

 :

7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7)

開催年月

 :

2006/10

開催都市

 :

Takasaki

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

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研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

コバルト60照射施設

広報プレスリリース

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