Si表面酸化における欠陥発生過程のリアルタイム光電子分光観察

Real-time photoelectron spectroscopic observation of defect formation processes during Si surface oxidation

Ogawa, Shuichi*; Takakuwa, Yuji*; Ishizuka, Shinji*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden

Si表面酸化における点欠陥発生と酸化膜成長の関連を解明するためにリアルタイム光電子分光を用いてSi(001)表面酸化過程を調べた。O1s光電子スペクトルは2成分、Si2p光電子スペクトルは7成分でピーク分離し、それぞれの酸化時間依存性と温度依存性を求めた。結論として、酸化膜成長中に点欠陥が発生すると推測される。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第20回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
開催年月	:	2007/01
開催都市	:	広島
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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登録番号 : BB20062219
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