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光電子顕微鏡によるSi-SiO$$_{2}$$化学結合状態に依存したマッピング

Chemical-state mapping of Si-SiO$$_{2}$$ by photoelectron emission microscopy

平尾 法恵*; 馬場 祐治  ; 関口 哲弘  ; 下山 巖   ; 本田 充紀   ; Deng, J.

Hirao, Norie*; Baba, Yuji; Sekiguchi, Tetsuhiro; Shimoyama, Iwao; Honda, Mitsunori; Deng, J.

半導体素子の微細化に伴いSi-SiO$$_{2}$$界面等、Siの原子価状態分布をナノメートルオーダーで明らかにすることが重要になっている。化合物の内殻吸収端のエネルギーは、化学結合状態によって数eVほどシフトするので、エネルギー可変の放射光軟X線と光電子顕微鏡を組合せることにより、化学結合状態に依存したマッピング測定が可能と考えられる。そこで、Si 1s軌道のケミカルシフトを利用したSi化合物の化学結合状態に依存したマッピング測定を試みた。試料はシリコン単結晶基板表面にO$$_{2}$$$$^{+}$$イオンを注入することにより作成したSi-SiO$$_{2}$$マイクロパターンを用いた。光電子顕微鏡で得られたナノメートルオーダーの画像の各点における輝度の放射光エネルギー依存性を測定したところ、それぞれの点において、SiO$$_{2}$$又はSiのXANESスペクトルと類似した曲線が得られた。以上のことから、ケミカルシフトを使ったナノメートルオーダーの化学結合状態マッピング測定が可能であることがわかった。

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使用言語

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Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

第17回日本化学会関東支部茨城地区研究交流会

開催年月

 :

2006/11

開催都市

 :

日立

開催国

 :

日本

キーワード

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no keyword

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