Change of the Fermi surface across the critical pressure in CeIn; The de Haas-van Alphen study under pressure

CeInの臨界圧力におけるフェルミ面の変化; 加圧下におけるドハース・ファンアルフェン効果測定

摂待 力生*; 久保 徹雄*; 城本 智行*; 本田 大輔*; 宍戸 寛明*; 杉山 清寛*; 芳賀 芳範   ; 松田 達磨; 別役 潔*; 播磨 尚朝*; 小林 達生*; 大貫 惇睦

Settai, Rikio*; Kubo, Tetsuo*; Shiromoto, Tomoyuki*; Honda, Daisuke*; Shishido, Hiroaki*; Sugiyama, Kiyohiro*; Haga, Yoshinori; Matsuda, Tatsuma; Betsuyaku, Kiyoshi*; Harima, Hisatomo*; Kobayashi, Tatsuo*; Onuki, Yoshichika

反強磁性体CeInのドハース・ファンアルフェン効果測定を圧力3GPaまで行い、フェルミ面の変化を調べた。加圧とともに10Kのネール点は下がり、約2.6GPaでゼロになる。この臨界圧以上では、大きな主要フェルミ面aが観測されるようになり、このことは4f電子が局在から遍歴へと変化したことを示唆していると考えられる。2.7GPaでのサイクロトロン有効質量は、異常に増強されており100において60にも達する。

We have studied a change of the Fermi surface in an antiferromagnet CeIn via the de Haas-van Alphen experiment under pressure up to 3 GPa. With increasing pressure P, the Neel temperature =10 K decreases and becomes zero at a critical pressure Pc 2.6 GPa. In the pressure region , we have observed a large main Fermi surface named a, which indicates that the electronic state of 4 f electron in CeIn changes from localized to itinerant at Pc, as observed in the similar antiferromagnets CeRhSi and CeRhIn. The cyclotron effective mass of this main Fermi surface is extremely enhanced around Pc: 60 at 2.7 GPa for the magnetic field along the 100 direction.