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High-resolution photoemission study of Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs; A Collapse of the energy gap in the Kondo semiconductor

Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAsの高分解能光電子分光; 近藤半導体におけるギャップの崩壊

島田 賢也*; 東口 光晴*; 藤森 伸一   ; 斎藤 祐児  ; 藤森 淳; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 笹川 哲也*; 高畠 敏郎*

Shimada, Kenya*; Higashiguchi, Mitsuharu*; Fujimori, Shinichi; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi; Namatame, Hirofumi*; Taniguchi, Masaki*; Sasakawa, Tetsuya*; Takabatake, Toshiro*

近藤半導体CeRhAsのLa置換によるエネルギーギャップの崩壊を解明するため、Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs(0$$leq$$x$$leq$$0.05)単結晶の高分解能角度分解光電子分光を行った。xの増加とともにフェルミエネルギー近傍のCe4f$$^{1}$$状態が減少し、高結合エネルギーに4f由来の構造が現れた。一方、Rh 4dに由来する状態は、置換によってあまり変化しない。新たに現れたCe 4f状態はインコヒーレントな性質であり、x$$>$$$$sim$$0.02における半導体状態の崩壊の原因である。

High-resolution resonance-photoemission spectroscopy has been performed on the Ce$$_{1-x}$$La$$_{x}$$RhAs (0$$leq$$x$$leq$$0.05) single crystal to elucidate a collapse of the energy gap in the Kondo semiconductor CeRhAs by La substitution. With increasing x, the spectral intensity of the Ce 4f$$^{1}$$ derived states near the Fermi level decreases and new 4f derived spectral feature appears at a higher binding energy. The Rh 4d-derived states, on the other hand, are not significantly changed by the substitution. New 4f-derived states have incoherent nature, which is responsible for the collapse of the semiconducting state for x$$>$$$$sim$$0.02.

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パーセンタイル:6.61

分野:Physics, Condensed Matter

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