High-resolution photoemission study of CeLaRhAs; A Collapse of the energy gap in the Kondo semiconductor

CeLaRhAsの高分解能光電子分光; 近藤半導体におけるギャップの崩壊

島田 賢也*; 東口 光晴*; 藤森 伸一   ; 斎藤 祐児  ; 藤森 淳; 生天目 博文*; 谷口 雅樹*; 笹川 哲也*; 高畠 敏郎*

Shimada, Kenya*; Higashiguchi, Mitsuharu*; Fujimori, Shinichi; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi; Namatame, Hirofumi*; Taniguchi, Masaki*; Sasakawa, Tetsuya*; Takabatake, Toshiro*

近藤半導体CeRhAsのLa置換によるエネルギーギャップの崩壊を解明するため、CeLaRhAs(0x0.05)単結晶の高分解能角度分解光電子分光を行った。xの増加とともにフェルミエネルギー近傍のCe4f状態が減少し、高結合エネルギーに4f由来の構造が現れた。一方、Rh 4dに由来する状態は、置換によってあまり変化しない。新たに現れたCe 4f状態はインコヒーレントな性質であり、x0.02における半導体状態の崩壊の原因である。

High-resolution resonance-photoemission spectroscopy has been performed on the CeLaRhAs (0x0.05) single crystal to elucidate a collapse of the energy gap in the Kondo semiconductor CeRhAs by La substitution. With increasing x, the spectral intensity of the Ce 4f derived states near the Fermi level decreases and new 4f derived spectral feature appears at a higher binding energy. The Rh 4d-derived states, on the other hand, are not significantly changed by the substitution. New 4f-derived states have incoherent nature, which is responsible for the collapse of the semiconducting state for x0.02.