p diodes by Ni ion incidencepダイオードの電荷収集効率の低下大島 武; 小野田 忍; 及川 将一*; 佐藤 隆博; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 伊藤 久義
Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Oikawa, Masakazu*; Sato, Takahiro; Hirao, Toshio; Kamiya, Tomihiro; Ito, Hisayoshi
炭化ケイ素(SiC)を用いた耐放射線性半導体素子開発の一環として、六方晶(6H)SiC npダイオードへ18MeVニッケル(Ni)イオンを入射し、イオン誘起過渡電流(TIBIC)により電荷収集量を評価した。npダイオードはp型エピタキシャル膜へ800
Cでの燐イオン注入及びアルゴン中1650C、5分間の熱処理によりn領域を形成することで作製した。18MeV-Ni入射によるTIBIC測定を行い、電荷収集量を求めたところ0.275pCであると求められた。一方、理想的な電荷収集量は0.339pCであることが見積もられており、電荷収集効率(CCE)として80%程度であることが判明した。イオン入射による電子-正孔対密度を見積もったところ100%のCCEが観測されている酸素及びシリコンイオンに比べNiの場合は約100倍程度高濃度であることが見積もられ、このことから、高濃度電子-正孔対内での再結合がCCE低下の原因であることが示唆された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | |
号 |
: | |
ページ数 |
: | P. 13 |
発行年月 |
: | 2007/02 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
使用施設 |
: | |
論文解説記事 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
