Pressure effect on paramagnet -US

常磁性-USの圧力効果

池田 修悟; 酒井 宏典   ; 松田 達磨; 立岩 尚之   ; 中村 彰夫; 山本 悦嗣  ; 青木 大*; 本間 佳哉*; 塩川 佳伸*; 辺土 正人*; 上床 美也*; 芳賀 芳範   ; 大貫 惇睦

Ikeda, Shugo; Sakai, Hironori; Matsuda, Tatsuma; Tateiwa, Naoyuki; Nakamura, Akio; Yamamoto, Etsuji; Aoki, Dai*; Homma, Yoshiya*; Shiokawa, Yoshinobu*; Hedo, Masato*; Uwatoko, Yoshiya*; Haga, Yoshinori; Onuki, Yoshichika

斜方晶の結晶構造を持つ、常磁性半導体-USの単結晶を、化学輸送法によって育成した。これらの単結晶を用いて、圧力下電気抵抗と磁化を測定した。その結果、圧力の増加とともに電気抵抗の温度依存性は、半金属的な振る舞いに近づき、さらににおいて、異常が観測された。このは、圧力とともに、高温側へシフトする。同じ結晶構造を持つ強磁性化合物UTeSとの比較から、このは、強磁性転移である可能性がある。

Single crystals of paramagnetic semiconductor -US with the orthorhombic () crystal structure were grown by chemical transport method. We measured the electrical resistivity under high pressure, and magnetization. With increasing pressure, the temperature dependence of approaches to semimetallic behavior and a kink anomaly appears at . shifts to higher temperature with increasing pressure. From the comparison with ferromagnetic semimetal UTeS having the same crystal structure, it seems that is a ferromagnetic transition.