Si(110)-162面のリアルタイムSR-XPS観測と自己触媒反応モデル

Real-time SR-XPS observation of the initial oxidation of Si(110)-162 and autocatalytic reaction model

山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 今野 篤史*; 加藤 篤*; 末光 眞希*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Yamamoto, Yoshihisa*; Togashi, Hideaki*; Konno, Atsushi*; Kato, Atsushi*; Suemitsu, Maki*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

Si(110)表面の極薄酸化膜形成過程をリアルタイム放射光光電子分光を用いて研究した。今回、O1s光電子ピークの積分強度から酸素吸着曲線を測定し、その温度依存性から酸化様式の温度依存性に関する知見を得た。酸素圧力1.010Paにおいて、酸化温度が870Kではラングミュア型の吸着曲線を示し、920Kではシグモイド型を示した。Si(001)面の酸化との類似性から、870Kではランダム吸着が、920Kでは二次元島状成長が起こると結論した。

Ultra-thin oxide film formation processes at Si(110) surface have been studied via real-time photoemission spectroscopy with synchrotron radiation. Oxygen uptake curves were measured using integrated intensity of O1s photoemission peak. Information on oxidation schemes was obtained on the basis of the temperature dependence of the oxygen uptake curves. At oxygen pressure of 1.010 Pa, Langmuir type uptake curve was observed at 870 K whereas a sigmoidal curve was observed at 920 K. We concluded from analogies of Si(001) oxidation that randum adsorption took place at 870 K and two-demensional oxide island formation occured at 920 K.