Magnetic resonance studies of defects in electron-irradiated ZnO substrates

電子線照射したZnO基板中の欠陥に関する磁気共鳴研究

Son, N. T.*; Ivanov, I. G.*; Kuznetsov, A. Yu.*; Svensson, B. G.*; Zhao, Q. X.*; Willander, M.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; 磯谷 順一*; Janzn, E.*; Yakimova, R.*

Son, N. T.*; Ivanov, I. G.*; Kuznetsov, A. Yu.*; Svensson, B. G.*; Zhao, Q. X.*; Willander, M.*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Isoya, Junichi*; Janzn, E.*; Yakimova, R.*

酸化亜鉛(ZnO)中の欠陥の挙動を解明するために、3又は6MeV電子線照射を行ったZnOの光検知磁気共鳴(ODMR)評価を行った。その結果、浅いドナー及びZu空孔に起因するシグナルに加え、スピン1/2を有する幾つかのシグナルが観測され、このうち、LU3及びLU4とラベル付けされたシグナルがキャリアの再結合中心として働くことが判明した。また、400Cまでの熱処理後もLU3,LU4は安定に存在することも併せて明らかとなった。

Defects in electron-irradiated (3, 6 MeV) ZnO substrates were investigated using optical detection of magnetic response (ODMR). The shallow donor and the Zn vacancy were detected. In addition, several ODMR centers with S= were also observed. Among these, LU3 and LU4 shows a behavior as recombination centers. After annealing at 400C, both LU3 and LU4 still remain in ZnO substrates.