耐放射線性SiCデバイス用酸化膜の第一原理分子動力学シミュレーション

First-principles molecular dynamics simulation of oxide layer for radiation-tolerant SiC devices

宮下敦巳; 大沼敏治*; 酒井高行*; 岩沢美佐子*; 叶野琢磨; 曽根田直樹*; 吉川正人

Miyashita, Atsumi; Onuma, Toshiharu*; Sakai, Takayuki*; Iwasawa, Misako*; Kano, Takuma; Soneda, Naoki*; Yoshikawa, Masahito

SiC半導体は極限環境における次世代のMOS型デバイスとして有望であると期待されているが、 $rm SiO_{2}/SiC$ 界面においては界面欠陥密度が高くチャンネル移動度が低いことが知られている。この界面欠陥の性質を理解し、その形成過程を解明するには、計算機上で実デバイスに近い $rm SiO_{2}/SiC$ 界面を生成し、さらに熱酸化過程のメカニズムを明らかにすることが重要である。1000原子規模の界面モデルを用いたアモルファス $rm SiO_{2}/SiC$ 界面モデル生成における加熱・急冷計算で、室温までの冷却速度を-2000K/psから-500K/psまで遅くすることにより、界面における欠陥構造が緩和されることがわかった。また、Si面よりC面の酸化速度が速くなる原因が酸化反応の理論計算から確かめられた。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	平成19年度地球シミュレータ利用報告会
開催年月	:	2008/01
開催都市	:	横浜
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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受委託・共同研究相手機関	:	電力中央研究所

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