軟X線共鳴角度分解光電子分光によるCeIrSiの4バンド構造とフェルミ面

4f band structure and Fermi surfaces of CeIrSi by soft X-ray angle-resolved resonant photoemission spectroscopy

大河内 拓雄; 保井 晃; 竹田 幸治   ; 岡根 哲夫  ; 斎藤 祐児  ; 藤森 淳*; 山上 浩志; 宮内 裕一朗*; 奥田 悠介*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦*

Okochi, Takuo; Yasui, Akira; Takeda, Yukiharu; Okane, Tetsuo; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi*; Yamagami, Hiroshi; Miyauchi, Yuichiro*; Okuda, Yusuke*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika*

結晶構造に反転対称性を持たない超伝導体として知られているCeIrSiについて、軟X線角度分解光電子分光を用いて、常磁性・正常状態におけるバルク4電子状態を調べた。34共鳴角度分解光電子分光及び、4を持たないLaIrSiの角度分解光電子分光スペクトルとの比較より、フェルミ準位を横切る伝導バンドに4状態がよく混成していることを示唆する結果が得られた。

We have investigated the bulk 4 electronic structure of the non-centrosymmetric superconductor, CeIrSi by soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy. We have performed the angle-resolved 3-4 resonant photoemission and the comparison of the angle-resolved photoemission spectra of CeIrSi with those of non- reference compound, LaIrSi and revealed that the 4 states of CeIrSi well hybridized with the non- conduction bands.