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軟X線共鳴角度分解光電子分光によるCeIrSi$$_3$$の4$$f$$バンド構造とフェルミ面

4f band structure and Fermi surfaces of CeIrSi$$_3$$ by soft X-ray angle-resolved resonant photoemission spectroscopy

大河内 拓雄; 保井 晃; 竹田 幸治  ; 岡根 哲夫 ; 斎藤 祐児 ; 藤森 淳*; 山上 浩志; 宮内 裕一朗*; 奥田 悠介*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦*

Okochi, Takuo; Yasui, Akira; Takeda, Yukiharu; Okane, Tetsuo; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi*; Yamagami, Hiroshi; Miyauchi, Yuichiro*; Okuda, Yusuke*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika*

結晶構造に反転対称性を持たない超伝導体として知られているCeIrSi$$_3$$について、軟X線角度分解光電子分光を用いて、常磁性・正常状態におけるバルク4$$f$$電子状態を調べた。3$$d$$$$rightarrow$$4$$f$$共鳴角度分解光電子分光及び、4$$f$$を持たないLaIrSi$$_3$$の角度分解光電子分光スペクトルとの比較より、フェルミ準位を横切る伝導バンドに4$$f$$状態がよく混成していることを示唆する結果が得られた。

We have investigated the bulk 4$$f$$ electronic structure of the non-centrosymmetric superconductor, CeIrSi$$_3$$ by soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy. We have performed the angle-resolved 3$$d$$-4$$f$$ resonant photoemission and the comparison of the angle-resolved photoemission spectra of CeIrSi$$_3$$ with those of non-$$f$$ reference compound, LaIrSi$$_3$$ and revealed that the 4$$f$$ states of CeIrSi$$_3$$ well hybridized with the non-$$f$$ conduction bands.

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