SiC欠陥の電子スピン評価

ESR study of defects in SiC

磯谷順一*; 梅田享英*; 水落憲和*; 大島武; 森下憲雄; 菱木繁臣*; 小野田忍

Isoya, Junichi*; Umeda, Takahide*; Mizuochi, Norikazu*; Oshima, Takeshi; Morishita, Norio; Hishiki, Shigeomi*; Onoda, Shinobu

耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)中の結晶欠陥を電子スピン共鳴(ESR)により調べた。n型の六方晶(4H)SiCに300800 $^{circ}$ Cで1MeV電子線照射を行うことで、HEI5/HEI6と呼ばれる欠陥センターを導入した。照射試料の熱処理を行ったところ、HEI5/HEI6センターは1000 $^{circ}$ Cまで安定であることが明らかとなった。また、ESRにより、2個の炭素( $^{13}$ C)及び第一近接のシリコン( $^{29}$ Si)の超微細相互作用を測定,評価した結果、HEI5/HEI6センターは、それぞれ、4H-SiC結晶格子中のkサイト,hサイトのSi原子をCで置き換えたCアンチサイトと格子間Cの複合欠陥であることが同定できた。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第3回高崎量子応用研究シンポジウム
開催年月	:	2008/10
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
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使用施設	:	1号加速器
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受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

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登録番号 : BB20082576
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