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希土類金属間化合物における格子間水素周辺のf電子状態

f-electronic state around an interstitial hydrogen in rare-earth intermetallics

伊藤 孝  ; 髭本 亘 ; 大石 一城*; 西田 信彦*; 青木 勇二*; 鬼丸 孝博*; 鈴木 博之*

Ito, Takashi; Higemoto, Wataru; Oishi, Kazuki*; Nishida, Nobuhiko*; Aoki, Yuji*; Onimaru, Takahiro*; Suzuki, Hiroyuki*

水素は物質の内部に容易に侵入し、格子と相互作用することにより物性に影響を及ぼす。この過程をミクロな観点から明らかにすることは、基礎,応用の両面において極めて重要である。水素と格子の相互作用を研究する際に、物質中で水素と同等の化学的性質を示す正ミュオン$$mu^+$$を使ったアプローチが有効である。われわれは特に局在f電子に対する格子間水素の局所的な作用を調べるため、希土類金属間化合物PrPb$$_{3}$$にスピン偏極した$$mu^+$$ビームを照射し、零磁場において$$mu^+$$スピン緩和の測定を行った。その結果、擬似水素$$mu^+$$に隣接するPrイオンのf電子磁化率が等方的な状態からイジング的な異方性を持つ状態に変化していることが明らかになった。この変化は結晶場の現象論により記述できるが、実験データより決定した結晶場パラメータを点電荷モデルに基づいて解釈すると、$$mu^+$$の位置に負の有効電荷が生じているということになる。これは結晶場に対する伝導電子の寄与を示唆していると考えられる。

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