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X-ray photoelectron and X-ray absorption spectroscopic study on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin films fabricated by ion beam sputter deposition

イオンビームスパッタ蒸着法を用いて作製した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜のX線光電子分光法及びX線吸収分光法による解析

江坂 文孝  ; 山本 博之; 松林 信行*; 山田 洋一*; 笹瀬 雅人*; 山口 憲司; 社本 真一  ; 間柄 正明  ; 木村 貴海 

Esaka, Fumitaka; Yamamoto, Hiroyuki; Matsubayashi, Nobuyuki*; Yamada, Yoichi*; Sasase, Masato*; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi; Magara, Masaaki; Kimura, Takaumi

放射光を用いたX線光電子分光法(XPS),X線吸収分光法(XAS)を用い、イオンビームスパッタ蒸着法により作製した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の表面化学状態及び深さプロファイルを非破壊的に解析した。873$$sim$$1173Kで成膜した試料についてXPS測定を行った結果、基板温度973Kでは、励起エネルギー(分析深さ)の減少とともにSiO$$_{2}$$及びSiO$$_{2-x}$$に起因するピークの割合が増加することを明らかにした。この結果から、最表面に1nm以下のSiO$$_{2}$$層が、さらにその直下にSiO$$_{2-x}$$層が形成されていることを確認した。また、XASによるFe-L吸収端測定では、873Kで成膜した場合には未反応のFe、1173Kでは$$alpha$$-FeSi$$_{2}$$の存在する可能性が示唆された。

A combination of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray absorption spectroscopy (XAS) using synchrotron radiation is applied to clarify surface chemical states of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ films fabricated by an ion-beam sputtering deposition method. The differences in the chemical states of the films fabricated at substrate temperatures of 873, 973 and 1173 K are investigated.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Applied Surface Science

巻

 :

256

号

 :

10

ページ数

 :

p.3155 - 3159

発行年月

 :

2010/03

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.11.090

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

若狭湾エネルギー研究センター

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：56.9

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

 :

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