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X-ray photoelectron and X-ray absorption spectroscopic study on $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin films fabricated by ion beam sputter deposition

イオンビームスパッタ蒸着法を用いて作製した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜のX線光電子分光法及びX線吸収分光法による解析

江坂 文孝; 山本 博之; 松林 信行*; 山田 洋一*; 笹瀬 雅人*; 山口 憲司; 社本 真一; 間柄 正明; 木村 貴海

Esaka, Fumitaka; Yamamoto, Hiroyuki; Matsubayashi, Nobuyuki*; Yamada, Yoichi*; Sasase, Masato*; Yamaguchi, Kenji; Shamoto, Shinichi; Magara, Masaaki; Kimura, Takaumi

放射光を用いたX線光電子分光法(XPS),X線吸収分光法(XAS)を用い、イオンビームスパッタ蒸着法により作製した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜の表面化学状態及び深さプロファイルを非破壊的に解析した。873$$sim$$1173Kで成膜した試料についてXPS測定を行った結果、基板温度973Kでは、励起エネルギー(分析深さ)の減少とともにSiO$$_{2}$$及びSiO$$_{2-x}$$に起因するピークの割合が増加することを明らかにした。この結果から、最表面に1nm以下のSiO$$_{2}$$層が、さらにその直下にSiO$$_{2-x}$$層が形成されていることを確認した。また、XASによるFe-L吸収端測定では、873Kで成膜した場合には未反応のFe、1173Kでは$$alpha$$-FeSi$$_{2}$$の存在する可能性が示唆された。

A combination of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray absorption spectroscopy (XAS) using synchrotron radiation is applied to clarify surface chemical states of $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ films fabricated by an ion-beam sputtering deposition method. The differences in the chemical states of the films fabricated at substrate temperatures of 873, 973 and 1173 K are investigated.

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パーセンタイル:44.66

分野:Chemistry, Physical

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