V
O thin filmVO薄膜の研究石田 行章*; Hwang, J. I.*; 小林 正起*; 竹田 幸治 
; 間宮 一敏*; 岡本 淳*; 藤森 伸一 ; 岡根 哲夫 ; 寺井 恒太*; 斎藤 祐児 ; 村松 康司*; 藤森 淳*; 田中 新*; 佐伯 洋昌*; 川合 知二*; 田畑 仁*
Ishida, Yukiaki*; Hwang, J. I.*; Kobayashi, Masaki*; Takeda, Yukiharu; Mamiya, Kazutoshi*; Okamoto, Jun*; Fujimori, Shinichi; Okane, Tetsuo; Terai, Kota*; Saito, Yuji; Muramatsu, Yasuji*; Fujimori, Atsushi*; Tanaka, Arata*; Saeki, Hiromasa*; Kawai, Tomoji*; Tabata, Hitoshi*
ワイドギャップ半導体ZnOを母体とした希薄磁性半導体は室温以上の強磁性転移温度(TC)が存在する可能性があるとして注目されている。ZnVOはTCが400K以上にあることが報告されたが、一方でその後の研究では強磁性的なふるまいが観測されないとの報告もある。本研究では磁化測定で350K以上で強磁性的ふるまいが観測されている試料に対して、軟X線磁気円二色性(XMCD)測定を行いV元素だけの磁性を調べた。XMCDの磁場依存性測定の結果から、得られたXMCDシグナルの9割程度は常磁性的なふるまいを示すが、弱い強磁性の存在を確認できた。また吸収スペクトルとXMCDスペクトルの形状とクラスター計算との比較からVイオンはZnに置換された2価であり、わずかにc軸方向に伸びた四配位であることがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 90 |
号 |
: | 2 |
ページ数 |
: | p.022510_1 - 022510_3 |
発行年月 |
: | 2007/01 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：64.21 分野：Physics, Applied |
Altmetrics |
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