Current transient effect in N-channel 6H-SiC MOSFET induced by heavy ion irradiation

重イオンがNチャンネル6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流効果

Lee, K. K.*; Laird, J. S.*; 大島武; 小野田忍; 平尾敏雄; 伊藤久義

Lee, K. K.*; Laird, J. S.*; Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi

六方晶(6H)炭化ケイ素(SiC)の電界効果トランジスタ(MOSFET)に対して重イオンを照射した際、ドレイン,ソース、及び背面電極において発生する過渡電流を計測した。その結果を、半導体デバイスシミュレータ(TCAD)を用いて解析した結果、MOSFETが動作していないOFF状態であっても、動作状態であっても、MOSFETのソース-ウェル-ドレインからなる寄生バイポーラトランジスタが原因となる両極性の過渡電流が発生することがわかった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Materials Science Forum
巻	:	645-648
号	:
ページ数	:	p.1013 - 1016
発行年月	:	2010/04
発表会議名	:	13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 (ICSCRM 2009)
開催年月	:	2009/10
開催都市	:	Nrnberg
開催国	:	Germany
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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登録番号 : BB20093830
抄録集掲載番号 : 38000723
論文投稿番号 : 7340

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