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Current transient effect in N-channel 6H-SiC MOSFET induced by heavy ion irradiation

重イオンがNチャンネル6H-SiC MOSFETに誘起する過渡電流効果

Lee, K. K.*; Laird, J. S.*; 大島 武; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 伊藤 久義

Lee, K. K.*; Laird, J. S.*; Oshima, Takeshi; Onoda, Shinobu; Hirao, Toshio; Ito, Hisayoshi

六方晶(6H)炭化ケイ素(SiC)の電界効果トランジスタ(MOSFET)に対して重イオンを照射した際、ドレイン,ソース、及び背面電極において発生する過渡電流を計測した。その結果を、半導体デバイスシミュレータ(TCAD)を用いて解析した結果、MOSFETが動作していないOFF状態であっても、動作状態であっても、MOSFETのソース-ウェル-ドレインからなる寄生バイポーラトランジスタが原因となる両極性の過渡電流が発生することがわかった。

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