Fermi surface properties of ferromagnet UCuSi

強磁性UCuSiのフェルミ面の特性

松田 達磨; 池田 修悟*; 山本 悦嗣  ; 芳賀 芳範   ; 宍戸 寛明*; 山上 浩志; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Matsuda, Tatsuma; Ikeda, Shugo*; Yamamoto, Etsuji; Haga, Yoshinori; Shishido, Hiroaki*; Yamagami, Hiroshi; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika

Snフラックス法により正方晶UCuSiの単結晶育成及びドハース・ファンアルフェン効果測定に成功した。UCuSiは、温度106K以下において反強磁性転移し、続く100K以下において強磁性転移する。この強磁性状態において、510から710 Oeのドハース・ファンアルフェンシグナルを観測した。それぞれに対応するサイクロトロン有効質量は、1.4から4.2で、電子比熱係数の値20mJ/Kmolと矛盾がない。これらの実験結果は、5電子を遍歴とした、スピン及び軌道分極モデルでおおまかに説明される。

We have succeeded in growing a high-quality single crystal of UCuSi with the tetragonal structure by the Sn-flux method and measured the de Haas-van Alphen effect. UCuSi orders antiferromagnetically below = 106 K, and follows a successive ferromagnetic ordering at = 100 K. Several de Haas-van Alphen branches are observed in the ferromagnetic state, ranging from 510 to 710 Oe. The corresponding cyclotron effective masses are moderately large, ranging from 1.4 to 4.2 , consistent with the electronic specific heat coefficient = 20 mJ/Kmol. These experimental results are approximately explained by the 5-itinerant spin- and orbital-polarized energy band model.