フェムト秒レーザー改質したSiCにおける局所電気伝導度の照射フルエンス依存性

Pulse fluence dependence of local electrical conductivities in femtosecond laser modified SiC

出来真斗; 伊藤拓人*; 富田卓朗*; 松尾繁樹*; 橋本修一*; 北田貴弘*; 井須俊郎*; 小野田忍; 大島武

Deki, Manato; Ito, Takuto*; Tomita, Takuro*; Matsuo, Shigeki*; Hashimoto, Shuichi*; Kitada, Takahiro*; Isu, Toshiro*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)半導体のデバイス作製プロセス開発の一環として、フェムトレーザーによる局所的な電気特性改質を試みた。半絶縁性の六方晶(6H)SiCへ、中心波長800nm,パルス幅130fs,繰り返し周波数1kHzのフェムトレーザーを1.5J/cm $^{2}$ 53.4J/cm $^{2}$ の範囲で照射し、照射前後の電気特性を測定した。その結果、1.5J/cm $^{2}$ のフルエンスの照射では、未照射と同程度のpAオーダーの電流しか流れないが、33.4J/cm $^{2}$ 以上では、急激な抵抗の低下が観測され、5桁以上の電流増加が観測された。電子顕微鏡で表面観察をした結果、この急激な抵抗の低下は、レーザーによるSiCへの局所的なエネルギー付与が原因で生じたSiCの相転移に起因する現象であることが見いだされた。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会
開催年月	:	2010/10
開催都市	:	つくば
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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