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SiCのフェムト秒レーザー改質部における局所電気伝導度の照射偏光依存性

Polarization dependence of local electric conductivities in femtosecond laser modified SiC

伊藤 拓人*; 出来 真斗; 富田 卓朗*; 松尾 繁樹*; 橋本 修一*; 北田 貴弘*; 井須 俊郎*; 小野田 忍; 大島 武

Ito, Takuto*; Deki, Manato; Tomita, Takuro*; Matsuo, Shigeki*; Hashimoto, Shuichi*; Kitada, Takahiro*; Isu, Toshiro*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

ワイドバンドギャップ半導体であるSiC(Silicon Carbide)に、透明材料の内部加工が可能なフェムト秒レーザーを照射し、SiCの局所電気特性制御を試みた。フェムト秒レーザー照射では、電場がレーザー走査方向に対して平行及び垂直となるように偏光方向を調整した。レーザー照射後に電気特性を測定した結果、電場とレーザー走査方向が平行な場合、印加電圧+0.1Vにおける電流値は550fAであった。一方、垂直な場合、印加電圧+0.1Vにおける電流値は130nAであった。このように、偏光方向が変わると電流値に6桁程度の差が生じ、電場とレーザー走査方向が垂直な場合に限り、急激な電気伝導度の変化が得られることが明らかとなった。

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