Bulk electronic state of YbRh
Si
studied by soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy
軟X線角度分解光電子分光研究によるYbRh
Si
の固体内部の電子状態
保井 晃; 藤森 伸一
; 川崎 郁斗
; 岡根 哲夫
; 竹田 幸治
; 斎藤 祐児
; Lapertot, G.*; Knebel, G.*; 松田 達磨; 芳賀 芳範
; 山上 浩志
Yasui, Akira; Fujimori, Shinichi; Kawasaki, Ikuto; Okane, Tetsuo; Takeda, Yukiharu; Saito, Yuji; Lapertot, G.*; Knebel, G.*; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Yamagami, Hiroshi
YbRh
Si
は量子臨界点(QCP)に近い物質として近年注目を集めており、わずかな制御パラメータにより量子臨界点を跨ぐことができる。これまで、QCP及びその近傍の物性を理解するために低エネルギー入射光を用いた多くの角度分解光電子分光(ARPES)実験が行われている。しかし、それらの研究では表面電子状態を起因したバンドが大きく観測されており、未だバルクの電子構造の十分な理解には至っていない。われわれはYbRh
Si
のバルクの価電子帯構造を得るために軟X線ARPES実験を行った。得られた価電子帯構造はLuRh
Si
の局所密度近似をもとにした計算結果とよく似ていた。一方で、Yb 4
バンドがフェルミエネルギー付近に観測され、それと伝導バンドとの混成が確認された。
In recent years, YbRh
Si
has been attracted much attention because it can be turned through a quantum critical point (QCP) by various small changes of control parameters. There are many angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES) studies for YbRh
Si
by using low-energy incident photons to understand the nature of the QCP. However, large surface contributions were observed in their spectra, and its bulk electronic structure has not been understood experimentally. We have performed the soft X-ray ARPES for YbRh
Si
to obtain its bulk valence-band structure. Obtained valence-band structure is similar to the calculated result of LuRh
Si
within a local-density approximation, while the Yb 4
bands are observed near Fermi level and are hybridized with conduction bands.